Kısa giriş:
CRRC tarafından üretilen yüksek voltajlı, tek anahtarlı IGBT modülleri. 4500V 900A.
Özellikler
Düşük anahtarlama için SPT+çip seti kayıpları |
Düşük VCEsat |
Düşük sürücü Güç |
Ayüksek için lSiC taban plakası Güç Cdöngü kapasiteY |
Düşük termal için AlN alt tabakası direnç |
TipikUygulama
Traction drives |
DC kesici |
Yüksek voltajlı inverterler/dönüştürücüler |
En yüksek nominal değerler
Parametre/参数 | Sembol/符号 | Koşullar/条件 | min | max | birim |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı 集电极-发射极电压 | VCES | VGE =0V,Tvj ≥25°C |
| 4500 | V |
DC Toplayıcı akım 集电极电流 (Küçük elektrik) | BenC | tC =80°C |
| 900 | A |
Zirve kolektör akım 集电极峰值电流 | BenCM | tp=1ms,Tc=80°C |
| 1800 | A |
Kapı-Emitör Voltajı 栅极发射极电压 | VGES |
| -20 | 20 | V |
Toplam Güç Dissipasyonu Toplam güç kaybı | Ptot | tC =25°C,perswitch(IGBT) |
| 8100 | W |
DC İleri Akım Doğru akım | BenF |
|
| 900 | A |
Zirve ileri akım Zirve doğru akım | BenFRM | tp=1ms |
| 1800 | A |
Dalgalanma akım 浪涌电流 | BenFSM | Vr =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, yarım sinüs dalgası |
| 6700 | A |
IGBT kısa DEVRE SOA IGBT kısa devre güvenli çalışma alanı |
tpsc |
VCC =3400V,VCEMCHIP≤4500V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μS |
İzolasyon voltajı 绝缘 elektrik basıncı | Vİzol | 1 dakikada, f=50Hz |
| 10200 | V |
Çapraz sıcaklık 结温 | tvj |
|
| 150 | °C |
Junction çalışma sıcaklığıerature çalışma soğukluğu | tvj(op) |
| -50 | 125 | °C |
Kasa sıcaklığı 温 | tC |
| -50 | 125 | °C |
Depolama Sıcaklığı depolama sıcaklığı | tSTG |
| -50 | 125 | °C |
Montaj torkları Montaj gücü | mS |
| 4 | 6 | Nm |
mt1 |
| 8 | 10 | ||
mt2 |
| 2 | 3 |
|
IGBT özellik değerleri
Parametre/参数 | Sembol/符号 | Koşullar/条件 | min | Tür | max | birim | |
Toplayıcı (- emici) kopma Voltaj 集电极-发射极阻断电压 |
V(BR) CES | VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
V | |
Kollektör-emiter doygunluğu Voltaj 集电极-发射极饱和电压 |
VCEsat | BenC =900A, VGE =15V | Tvj= 25°C |
| 2.7 | 3.2 | V |
Tvj=125°C |
| 3.4 | 3.8 | V | |||
Kolektör kesme akım 集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı) | BenCES | VCE =4500V, VGE =0V | Tvj= 25°C |
|
| 10 | mA |
Tvj=125°C |
|
| 100 | mA | |||
Kapı sızıntı akımı 极漏电流 (Hızlı akış) | BenGES | VCE =0V,VGE =20V, tvj =125°C | -500 |
| 500 | NA | |
Kapı-Emitör Sınır Voltajı 栅极发射极阀值电压 | VGE(th) | BenC =240mA,VCE =VGE, tvj =25°C | 4.5 |
| 6.5 | V | |
Kapı şarj 极电荷 | QG | BenC =900A,VCE =2800V, VGE =-15V … 15V |
| 8.1 |
| μC | |
Girdi Kapasitesi giriş elektrik kapasitesi | Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
| 105.6 |
|
NF | |
Çıkış Kapasitesi çıkış elektrik kapasitesi | C- Evet. |
| 7.35 |
| |||
Ters transfer kapasitansı Ters transfer kapasitansı | Cres |
| 2.04 |
| |||
Açma gecikmesi Time 开通延迟时间 | td(on) |
VCC =2800V, BenC =900A, rG =2.2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, 感性负载 (duygu yükü) | Tvj = 25 °C |
| 680 |
|
ns |
Tvj = 125 °C |
| 700 |
| ||||
Kalkma zamanı. 升时间 | tr | Tvj = 25 °C |
| 230 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 240 |
| ||||
Kapatma gecikme süresi Kapatma gecikmesi | tD(OFF) | Tvj = 25 °C |
| 2100 |
|
ns | |
Tvj = 125 °C |
| 2300 |
| ||||
Sonbahar zamanı Düşen zaman | tF | Tvj = 25 °C |
| 1600 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 2800 |
| ||||
Açma Anahtarlama kayıp enerji Açma kayıp enerjisi | EON | Tvj = 25 °C |
| 1900 |
| mJ | |
Tvj =125 °C |
| 2500 |
| ||||
Kapatma Değiştirme kayıp enerji Kapatma kayıp enerjisi | EOFF | Tvj = 25 °C |
| 3100 |
| mJ | |
Tvj =125 °C |
| 3800 |
| ||||
Kısa devre akım kısa devre akımı | BenSC | tpsc≤ 10μs, VGE =15V, tvj= 125°C,VCC = 3400V |
| 3600 |
| A |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.