Kısa giriş:
CRRC tarafından üretilen yüksek voltajlı, tek anahtarlı IGBT modülleri. 4500V 900A.
Özellikler
Düşük anahtarlama için SPT+çip seti kayıpları |
Düşük V CEsat |
Düşük sürücü güç |
A yüksek için lSiC taban plakası güç c döngü kapasite y |
Düşük termal için AlN alt tabakası direnç |
Tipik bAŞVURU
Traction drives |
DC kesici |
Yüksek voltajlı inverterler/dönüştürücüler |
En yüksek nominal değerler
Parametre/参数 |
Sembol/符号 |
Koşullar/条件 |
min |
max |
Birim |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı 集电极 -发射极电压 |
V CES |
V GE =0V,T vj ≥25°C |
|
4500 |
V |
DC Toplayıcı akım 集电极电流 (Küçük elektrik) |
Ben C |
T C =80°C |
|
900 |
A |
Zirve kolektör akım 集电极峰值电流 |
Ben CM |
tp=1ms,Tc=80°C |
|
1800 |
A |
Kapı-Emitör Voltajı 栅极发射极电压 |
V GES |
|
-20 |
20 |
V |
Toplam güç Dissipasyonu toplam güç kaybı |
P tot |
T C =25°C,perswitch(IGBT) |
|
8100 |
W |
DC İleri Akım doğru akım |
Ben F |
|
|
900 |
A |
Zirve ileri akım zirve doğru akım |
Ben FRM |
tp=1ms |
|
1800 |
A |
Dalgalanma akım 浪涌电流 |
Ben FSM |
V R =0V,T vj =125°C,tp=10ms, yarım sinüs dalgası |
|
6700 |
A |
IGBT kısa dEVRE SOA IGBT kısa devre güvenli çalışma alanı |
t psc |
V CC =3400V,V CEMCHIP ≤4500V V GE ≤15V,Tvj≤125°C |
|
10 |
μ s |
İzolasyon voltajı 绝缘 elektrik basıncı |
V i̇zol |
1 dakikada, f=50Hz |
|
10200 |
V |
Çapraz sıcaklık 结温 |
T vj |
|
|
150 |
℃ |
Junction çalışma sıcaklığı erature çalışma soğukluğu |
T vj(op) |
|
-50 |
125 |
℃ |
Kasa sıcaklığı 温 |
T C |
|
-50 |
125 |
℃ |
Depolama Sıcaklığı depolama sıcaklığı |
T sTG |
|
-50 |
125 |
℃ |
Montaj torkları montaj gücü |
M S |
|
4 |
6 |
Nm |
M T 1 |
|
8 |
10 |
||
M T 2 |
|
2 |
3 |
|
IGBT özellik değerleri
Parametre/参数 |
Sembol/符号 |
Koşullar/条件 |
Min |
tUR |
max |
Birim |
|
Toplayıcı (- emici) kopma voltaj 集电极 -发射极阻断电压 |
V (BR) CES |
V GE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C |
4500 |
|
|
V |
|
Kollektör-emiter doygunluğu voltaj 集电极 -发射极饱和电压 |
V CEsat |
Ben C =900A, V GE =15V |
Tvj= 25°C |
|
2.7 |
3.2 |
V |
Tvj=125°C |
|
3.4 |
3.8 |
V |
|||
Kolektör kesme akım 集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı) |
Ben CES |
V CE =4500V, V GE =0V |
Tvj= 25°C |
|
|
10 |
mA |
Tvj=125°C |
|
|
100 |
mA |
|||
Kapı sızıntı akımı 极漏电流 (Hızlı akış) |
Ben GES |
V CE =0V,V GE =20V, T vj =125°C |
-500 |
|
500 |
nA |
|
Kapı-Emitör Sınır Voltajı 栅极发射极阀值电压 |
V GE(th) |
Ben C =240mA,V CE =V GE , T vj =25°C |
4.5 |
|
6.5 |
V |
|
Kapı şarj 极电荷 |
Q g |
Ben C =900A,V CE =2800V, V GE =-15V … 15V |
|
8.1 |
|
μC |
|
Girdi Kapasitesi giriş elektrik kapasitesi |
C ies |
V CE =25V,V GE =0V, f=1MHz,T vj =25°C |
|
105.6 |
|
nF |
|
Çıkış Kapasitesi çıkış elektrik kapasitesi |
C - Evet. |
|
7.35 |
|
|||
Ters transfer kapasitansı ters transfer kapasitansı |
C res |
|
2.04 |
|
|||
Açma gecikmesi time 开通延迟时间 |
t d(on) |
V CC =2800V, Ben C =900A, R G =2.2 ω , V GE =±15V, L σ =280nH, 感性负载 (duygu yükü) |
Tvj = 25 °C |
|
680 |
|
ns |
Tvj = 125 °C |
|
700 |
|
||||
Kalkma zamanı. 升时间 |
t r |
Tvj = 25 °C |
|
230 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
240 |
|
||||
Kapatma gecikme süresi kapatma gecikmesi |
t d (oFF ) |
Tvj = 25 °C |
|
2100 |
|
ns |
|
Tvj = 125 °C |
|
2300 |
|
||||
Sonbahar zamanı düşen zaman |
t f |
Tvj = 25 °C |
|
1600 |
|
||
Tvj = 125 °C |
|
2800 |
|
||||
Açma Anahtarlama kayıp enerji açma kayıp enerjisi |
E oN |
Tvj = 25 °C |
|
1900 |
|
mJ |
|
Tvj =125 °C |
|
2500 |
|
||||
Kapatma Değiştirme kayıp enerji kapatma kayıp enerjisi |
E oFF |
Tvj = 25 °C |
|
3100 |
|
mJ |
|
Tvj =125 °C |
|
3800 |
|
||||
Kısa devre akım kısa devre akımı |
Ben SC |
t psc ≤ 10μ s, V GE =15V, T vj = 125°C,V CC = 3400V |
|
3600 |
|
A |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.