YMIF750-65, IGBT Modülü, Tek Anahtar IGBT, CRRC

V _CES

6500 V

V _{CE (sat)} Tipik.

3.0 V

Ben _C Max.

750 A

Ben _C(RM) Max.

1500 A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Değer

Birim

V _CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

V

V _GES

Kapı-Emitör Voltajı

TC= 25 °C

± 20

V

Ben _C

Kollektör-emiter akımı

TC = 80 °C

750

A

Ben _{C (((PK)}

Zirve kollektör akımı

tp=1ms

1500

A

P _max

Maks. transistör güç dağılımı

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

kw

Ben ²t

Diyot I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

V _i̇zol

İzolasyon voltajı - modül başına

( Ortak terminaller taban plakasına), AC RMS,1 dk, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kV

Q _PD

Kısmi deşarj - modül başına

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Rth(J-C) IGBT

Termal direnç - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Diyot

Termal direnç - Diyot

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

Termal direnç -

kasa ile soğutucu (IGBT)

Montaj torku 5Nm,

montaj yağı ile 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Diyot

Termal direnç -

kasa ile soğutucu (Diyot)

Montaj torku 5Nm,

montaj yağı ile 1W/m·°C

18

K / kW

Tvjop

Hareket noktası sıcaklığı

( IGBT )

-40

125

°C

( Diyot )

-40

125

°C

TSTG

depolama sıcaklığı

Depolama sıcaklık aralığı

-40

125

°C

M

Vida torku

Montaj –M6

5

Nm

Elektrik bağlantıları – M4

2

Nm

Elektrik bağlantıları – M8

10

Nm

符号 Sembolik

参数名称 Parametre

条件

Test koşulları

最小值 en küçük değer Min.

tipik değerler Tipik.

maksimum değer Max.

birim Birim

ICES

集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı)

Kollektör kesme akımı

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

90

mA

IGES

极漏电流 (Hızlı akış)

Kapı sızıntı akımı

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

kapı -emiter eşik voltajı Kapı eşik voltajı

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

V

VCE (sat)(*1)

集电极 -emiter doygunluk voltajı

Kollektör-emiter doygunluğu

voltaj

VGE =15V, IC = 750A

3.0

3.4

V

VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

V

IF

diyot doğru akım akışı Diyot ileri akımı

DC

750

A

IFRM

diyot ileri tekrar tepe akımı Diyot tepe ileri akımı

tp = 1ms

1500

A

VF(*1)

diyot ileri voltajı

Diyot ileri voltajı

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

V

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

V

Isc

kısa devre akımı

Kısa devre akımı

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

A

- Evet.

giriş elektrik kapasitesi

Girdi Kapasitesi

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

123

nF

Genel Merkezi

极电荷

Geçit Ücreti

±15V

9.4

μC

Cres

ters yönlü aktarım kapasitesi

Ters transfer kapasitansı

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

2.6

nF

LM

modül endüktansı

Modül endüktansı

10

nH

RINT

i̇ç direnç

Dahili transistör direnci

90

mΩ

tD _(kapalı)

kapatma gecikmesi

Kapatma gecikme süresi

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

ns

Tvj= 125 °C

3090

t _f

düşen zaman Sonbahar zamanı

Tvj= 25 °C

2390

ns

mJ

ns

ns

mJ

μC

Tvj= 125 °C

2980

E _OFF

kapatma kaybı

Kapatma enerji kaybı

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

tD _(açık)

开通延迟时间

Açma Gecikme Zamanı

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω , CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

- Evet.

升时间 Kalkma zamanı.

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

E _ON

açma kaybı

Açma enerji kaybı

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

diyot ters iyileşme yükü Diyot Ters

geri Kazanım Yükü

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

diyot ters iyileşme akımı Diyot Ters

geri kazanım akımı

Tvj= 25 °C

1310

A

mJ

Tvj= 125 °C

1460

Erec

diyot ters iyileşme kaybı Diyot Ters

geri kazanım enerjisi

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080