IGBT Modülü 4500V

VCES

4500

V

VCE (sat)

(Tip)

2.30

V

Ic

(Maks)

1200

A

ICRM)

(Maks)

2400

A

符号
(Sembol)

参数名称
(Parametre)

测试条件
(Test Koşulları)

数值
(değer)

单 位
(Birim)

VCES

集电极-Emisyon Elektrodu Voltajı
Toplayıcı-Sütücü Voltajı

VGE=OV, Tvj=25℃

4500

V

VGES

Kapı-Emisyon Elektrodu Voltajı
Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ic

集电极电流 (Küçük elektrik)
Toplayıcı-Sütücü Voltajı

Tvj=125℃, Tcase=85℃

1200

A

IC(PK)

集电极峰值电流
Zirve kollektör akımı

1ms

2400

A

Pmax

Transistör Bölümünde Maksimum Kaybı

Max. transistör güç kaybı

Tvj=125℃, Tcase=25℃

12.5

kw

I²t

Diyot²t值
Diyot I²t

VR=0V, tp=10ms, Tvj=125℃

530

kA²s

Visol

绝缘 elektrik basıncı(模块)

İzolasyon voltajı - modül başına

Tüm terminalleri kısa devre yapın, terminal ile temel plaka arasında voltaj uygulayın
(Taban plakası ile ortak terminaller),
AC RMS, 1 dk, 50Hz

10200

V

QPD

局部放电电荷(模块)
Kısmi deşarj - modül başına

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

PC

Sürünme mesafesi

Sızma mesafesi

56mm

İzolasyon Aralığı

Tasfiye

26mm

Sızıntı Akımı Dayanım İndeksi

CTI (Kritik İzleme İndeksi)

>600

Termal & Mekanik Veriler

符号
(Sembol)

参数名称
(Parametre)

测试条件
(Test Koşulları)

Minimum
(Min)

Maksimum
(Maks)

单 位
(Birim)

Rh(J-C)IGBT

GBTKasa termal direnci

Termal direnç - IGBT

Kesit Kasa Sürekli Güç Kaybı
Sürekli deşarj - birleşimden kasa

8

K/kW

Rh(J-C)Diyot

Diyot kesit kasa termal direnci
Termal direnç - diyot

Kesit Kasa Sürekli Güç Kaybı
Sürekli deşarj - birleşimden kasa

16

K/kW

Rt(C-H)

Temas termal direnci(模块)
Termal direnç-
kasa ile soğutucu (modül başına)

Montaj gücü5Nm(Termal macun1W/m · ℃)
Montaj torku 5Nm
(montaj yağı ile 1W/m · ℃)

6

K/kW

Tv

结温Çapraz sıcaklık

IGBTBölüm(IGBT)

125

°C

Diyot bölümü(Diyot)

125

°C

TSTG

Depolama sıcaklığıDepolama sıcaklık aralığı

-40

125

°C

m

Montaj gücüVida torku

Montaj sıkıştırma için-M6 Montaj -M6

5

Nm

Devre bağlantısı için-M4
Elektrik bağlantıları -M4

2

Nm

Devre bağlantısı için-M8
Elektrik bağlantıları -M8

10

Nm

Aksi belirtilmedikçe Tcase=25℃

符号
(Sembol)

参数名称
(Parametre)

条件
(Test Koşulları)

En Küçük
(Min)

Tipik
(Tip)

En Büyük
(Maks)

birim
(Birim)

ICES

集电极截止电流 (Küçük elektrik akışı)
Kollektör kesme akımı

VGE=OV,VcE=VCES

1

mA

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

mA

IGES

极漏电流 (Hızlı akış)
Kapı sızıntı akımı

VGE=±20V,VcE=0V

1

μA

VGE (th)

Kapı-Emiter eşik voltajı
Kapı eşik voltajı

Ic=120mA,VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集电极-Emiter doygunluk voltajı
Kollektör-emiter doygunluğu
Voltaj

VGE=15V,Ic=1200A

2.3

2.8

V

VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C

3.0

3.5

V

IF

Diyot doğru akım akışı
Diyot ileri akımı

DC

1200

A

IFRM

Diyot ileri tekrar tepe akımı
Diyot maksimum ileri akımı

tp=1ms

2400

A

vF(1

Diyot ileri voltajı
Diyot ileri voltajı

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A,Tvj=125°C

2.7

3.2

V

- Evet.

giriş elektrik kapasitesi
Girdi Kapasitesi

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

NF

Q₉

极电荷
Geçit Ücreti

±15V

11.9

μC

Cres

Ters yönlü aktarım kapasitesi
Ters transfer kapasitansı

VcE=25V,VGE=0V,f =1MHz

3.4

NF

LM

Modül endüktansı
Modül endüktansı

10

nH

RINT

İç direnç
Dahili transistör direnci

90

μΩ

Isc

kısa devre akımı
Kısa devre akımı,Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400V,
VGE≤15V,tp≤10μs,
VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt,

IEC 60747-9

5300

A

td(of)

Kapatma gecikmesi
Kapatma gecikme süresi

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L～180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RG(OFF)=2.7Ω

2700

ns

TF

Düşen zaman
Sonbahar zamanı

700

ns

Eof

Kapatma kaybı
Kapatma enerji kaybı

5800

mJ

tdon)

开通延迟时间
Açma Gecikme Zamanı

720

ns

t

升时间
Kalkma zamanı.

270

ns

Eon

Açma kaybı
Açma enerji kaybı

3200

mJ

Qm

Diyot ters iyileşme yükü
Diyot ters geri yükleme yükü

/F=1200A
VcE =2800V
dip/dt =5000A/us

1200

μC

Ben

Diyot ters iyileşme akımı
Diyot ters geri yükleme akımı

1350

A

Erec

Diyot ters iyileşme kaybı
Diyot ters geri yükleme enerjisi

1750

mJ

td(of)

Kapatma gecikmesi
Kapatma gecikme süresi

Ic=1200A
VcE =2800V
Cge=220nF
L～180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RGOFF)=2.7Ω

2650

ns

TF

Düşen zaman
Sonbahar zamanı

720

ns

Eof

Kapatma kaybı
Kapatma enerji kaybı

6250

mJ

tdon)

开通延迟时间
Açma Gecikme Zamanı

740

ns

t

升时间
Kalkma zamanı.

290

ns

Eon

Açma kaybı
Açma enerji kaybı

4560

mJ

Q

Diyot ters iyileşme yükü
Diyot ters geri yükleme yükü

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

μC

Ben

Diyot ters iyileşme akımı
Diyot ters geri yükleme akımı

1720

A

Erec

Diyot ters iyileşme kaybı
Diyot ters geri yükleme enerjisi

3250

mJ