YMIF1000-33,IGBT Modülü,Tek Anahtar IGBT,CRRC

IGBT Modülü，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

Kısa tanıtım

CRRC tarafından üretilen yüksek voltajlı, tek anahtar IGBT modülleri. 3300V 1000A.

Anahtar Parametreler

Tipik Uygulamalar

Tipik Uygulamalar

Kesin Maksimum Değer

(Sembol)	(Parametre)	(Test Koşulları)	(değer)	(Birim)
VCES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	VGE = 0V, TC= 25 °C	3300	V
VGES	Kapı-Emitör Voltajı	TC= 25 °C	± 20	V
I C	Kollektör-emiter akımı	TC = 95 °C	1000	A
IC(PK)	Zirve kollektör akımı	t P= 1ms	2000	A
P max	Maks. transistör güç dağılımı	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	kw
I 2t	Diyot I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Visol	İzolasyon voltajı – modül başına	Ortak terminaller taban plakasına, AC RMS,1 dk, 50Hz,TC= 25 °C	6000	V
Q PD	Kısmi deşarj – modül başına	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	pC

Elektriksel Karakteristikler

(Sembol)		(Parametre)	(Test Koşulları)	(Min)	(Tip)	(Maks)	(Birim)
I CES		Kollektör kesme akımı	VGE = 0V,VCE = VCES			1	mA
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	mA
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	mA
I GES		Kapı sızıntı akımı	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	μA
VGE (TH)		Kapı eşik voltajı	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	V
VCE	(*1) (doygun)	Kollektör-emiter doygunluğu voltaj	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	V
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	V
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	V
I F		Diyot ileri akımı	DC		1000		A
I FRM		Diyot maksimum ileri akımı	t P = 1ms		2000		A
VF(*1)		Diyot ileri voltajı	I F= 1000A		2.10	2.60	V
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	V
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	V
C ies		Girdi Kapasitesi	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		nF
Q g		Geçit Ücreti	±15V		17		μC
C res		Ters transfer kapasitansı	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		nF
L M		Modül endüktansı			15		nH
R INT		Dahili transistör direnci			165		μΩ
I SC		Kısa devre akımı, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		A

td ((off)	Kapatma gecikme süresi	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	ns
t f	Sonbahar zamanı		530	ns
E OFF	Kapatma enerji kaybı		1600	mJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		680	ns
t r	Kalkma zamanı.		320	ns
Eon	Açma enerji kaybı		1240	mJ
Q rr	Diyot ters geri yükleme yükü	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	780	μC
I rr	Diyot ters geri yükleme akımı		810	A
E rec	Diyot ters geri yükleme enerjisi		980	mJ
td ((off)	Kapatma gecikme süresi	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	ns
t f	Sonbahar zamanı		580	ns
E OFF	Kapatma enerji kaybı		1950	mJ
td ((on)	Açma Gecikme Zamanı		660	ns
t r	Kalkma zamanı.		340	ns
Eon	Açma enerji kaybı		1600	mJ
Q rr	Diyot ters geri yükleme yükü	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	1200	μC
I rr	Diyot ters geri yükleme akımı	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	930	A