Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD450HFX170C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

1700V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX170C6S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 450A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satür) Çukur IGBT Teknoloji
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • VCE (sat) ile pozitif Sıcaklık katsayı
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

706

450

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

900

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175 O C

2542

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

450

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

900

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =450A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =450A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Ben C =450A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 18.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.67

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

54.2

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.32

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

4.24

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =450A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

179

ns

t r

Kalkma zamanı.

105

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

680

ns

t F

Sonbahar zamanı

375

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

116

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

113

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =450A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

208

ns

t r

Kalkma zamanı.

120

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

784

ns

t F

Sonbahar zamanı

613

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

152

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

171

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =450A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

208

ns

t r

Kalkma zamanı.

120

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

800

ns

t F

Sonbahar zamanı

720

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

167

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

179

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1800

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =450A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =450A,V GE =0V,T j = 125O C

1.95

Ben F =450A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

105

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

198

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

69.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

187

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

578

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

129

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

209

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

585

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

150

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.059

0.083

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.031

0.043

0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000