Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD400SGY120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü,1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 400A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı akım @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

630

400

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı akım t P =1 Bayan

800

A

P D

Maksimum Güç dağılım @ t j =175 O C

2083

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

400

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

800

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı atür

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 için +150

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40 için +125

O C

V ISO

İzolasyon Voltaj RMS , f=50 Hz , t=1 min

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat )

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A, V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =400A, V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =400A, V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 10.0mA ,V CE = V GE ,t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı kesimi

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

1.9

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

41.4

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.16

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15V... +15V

3.11

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V, Ben C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

257

ns

t r

Kalkma zamanı.

96

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

628

ns

t F

Sonbahar zamanı

103

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

23.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

34.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V, Ben C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

268

ns

t r

Kalkma zamanı.

107

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

659

ns

t F

Sonbahar zamanı

144

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

35.3

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

51.5

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V, Ben C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

278

ns

t r

Kalkma zamanı.

118

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

680

ns

t F

Sonbahar zamanı

155

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

38.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

56.7

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A, V GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =400A, V GE =0V, t j = 125O C

1.85

Ben F =400A, V GE =0V, t j = 150O C

1.85

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V, Ben F =400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

38.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

285

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

19

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V, Ben F =400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

66.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

380

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

36.6

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V, Ben F =400A,

-di /dt =5000A/μs, V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

76.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

399

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

41.8

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE

Modül Kurşun Direnci, Terminal Chip'e

0.18

r - Yürü

Kavşak -için -Durum (her IGBT )

Kavşak -için -Durum (her Diyot )

0.072

0.095

K/W

r thCH

Durum -için -Isı çubuğu (her IGBT )

Durum -için -Isı çubuğu (her Diyot )

Kürsüden ısı alacağı (modül başına)

0.018

0.023

0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, Vurulmuş📌 M6 Montaj Tork , Vurulmuş📌 m 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlığı Modül

300

G

Çizelge

image(6b521639e0).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000