IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

VCES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

VGES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ic

Toplayıcı Akımı @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı tp=1ms

800

A

PD

Maksimum Güç Dağılımı @ T =150oC

2659

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

VRRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

IF

Diyot Sürekli İleri Akım

400

A

IFM

Diyot Maksimum İleri Akımı tp=1ms

800

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

Tjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

oC

- Evet.

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

oC

TSTG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

oC

VISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

Ben C =400A,V GE =15V, t j =125 O C

3.60

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.6

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.0

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.70

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

4.2

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =2.2Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

76

ns

t r

Kalkma zamanı.

57

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

529

ns

t F

Sonbahar zamanı

73

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

5.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

23.2

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =2.2Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

81

ns

t r

Kalkma zamanı.

62

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

567

ns

t F

Sonbahar zamanı

81

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

9.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

31.7

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

2800

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.96

2.31

V

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.98

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

24.9

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

317

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

16.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

35.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

391

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

21.4

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci Nce, terminal chip'e

0.18

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.047

0.100

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kasa-Soğutucu (pe r Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.015

0.031

0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G