IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

595

400

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

1875

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

400

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

800

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.75

2.20

V

Ben C =400A,V GE = 15V, t j =125 O C

2.00

Ben C =400A,V GE = 15V, t j =150 O C

2.05

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

37.3

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.04

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

2.80

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

205

ns

t r

Kalkma zamanı.

77

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

597

ns

t F

Sonbahar zamanı

98

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

18.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

32.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

214

ns

t r

Kalkma zamanı.

86

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

626

ns

t F

Sonbahar zamanı

137

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

28.4

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

48.9

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

198

ns

t r

Kalkma zamanı.

94

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

646

ns

t F

Sonbahar zamanı

147

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

30.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

53.8

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1440

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.75

2.15

V

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

40

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

299

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

20.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

70

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

399

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

38.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

80

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

419

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

43.9

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci Nce, terminal chip'e

0.25

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.080

0.095

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.037

0.044

0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G