Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD400HFF120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFF120C2S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 400A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Düşük değişim kayıpları
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Aktarma modu güç kaynağı
  • Indüktif ısıtma
  • Elektronik kaynak

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

620

400

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175 O C

2272

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

400

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

800

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =400A,V GE =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

Ben C =400A,V GE =15V, t j = 125O C

2.40

Ben C =400A,V GE =15V, t j =150 O C

2.55

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

100

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.9

Ω

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =0.38Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

1496

ns

t r

Kalkma zamanı.

200

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1304

ns

t F

Sonbahar zamanı

816

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

27.6

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

20.8

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =0.38Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

1676

ns

t r

Kalkma zamanı.

252

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1532

ns

t F

Sonbahar zamanı

872

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

41.6

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

23.6

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =400A, r G =0.38Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

1676

ns

t r

Kalkma zamanı.

260

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

1552

ns

t F

Sonbahar zamanı

888

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

46.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

24.0

mJ

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =400A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Ben F =400A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

20.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

180

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.8

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

52.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

264

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

19.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

60.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

284

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

22.6

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.25

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.066

0.093

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.034

0.048

0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G

Çizelge

image(c3756b8d25).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000