Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD225HFX170C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HFX170C6S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 225A.

Özellikler

Düşük V CE (sat ) Çukur IGBT Teknoloji

10 μs Kısa devre kapasitesi İletişim

V CE (sat ) ile pozitif Sıcaklık katsayı

Maksimum Çapraz sıcaklık 175O C

Düşük endüktans Durum

Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım Paralel karşıt FWD

İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

Motor için inverter D RIV

AC ve DC servoyu Sürmek amplifikatörü

Kesintisiz güç r tedarik

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

396

225

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

450

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

1530

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

225

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

450

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =225A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =225A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Ben C =225A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =9.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.8

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

27.1

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.66

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

2.12

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =225A, r Git =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

t j =25 O C

187

ns

t r

Kalkma zamanı.

76

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

587

ns

t F

Sonbahar zamanı

350

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

56.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

52.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =225A, r Git =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

t j = 125O C

200

ns

t r

Kalkma zamanı.

85

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

693

ns

t F

Sonbahar zamanı

662

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

75.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

80.9

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =225A, r Git =3.3Ω, r Goff =6.2Ω, V GE =±15V,

t j = 150O C

208

ns

t r

Kalkma zamanı.

90

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

704

ns

t F

Sonbahar zamanı

744

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

82.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

87.7

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

900

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =225A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =225A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Ben F =225A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

63.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

352

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

37.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =125 O C

107

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

394

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

71.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =225A,

-di/dt=3565A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =150 O C

121

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

385

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

82.8

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.098

0.158

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.029

0.047

0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000