IGBT Modülü 4500V

Parametre

Sembolik

Koşullar

değer

birim

Toplayıcı ‐Yayımcı Voltaj

V CES

V GE =0V, t vj =25 ° C

4500

V

DC Toplayıcı akım

Ben C

t C =100 ° C, t vj =125 ° C

3000

A

Zirve Toplayıcı akım

Ben CM

t P =1 Bayan

6000

A

Kapı ‐Yayımcı Voltaj

V GES

± 20

V

Toplam Güç dağılım

P tot

t C =25 ° C, t vj =125 ° C

31200

W

DC İleri akım

Ben F

3000

A

Zirve İleri akım

Ben FRM

t P =1 Bayan

6000

A

Dalgalanma akım

Ben FSM

V r =0V, t vj =125 ° C,

t P =10 Bayan ,yarım ‐sinüs dalgası

21000

A

IGBT Kısa DEVRE SOA

t psc

V CC =3400V, V CEM Çip ≤4500V V GE ≤15V, t vj ≤125 ° C

10

μs

Maksimum Kavşak Sıcaklık

t vj (max )

125

°C

Kavşak Çalışma Sıcaklık

t vj (op )

‐40~125

°C

Durum Sıcaklık

t C

‐40~125

°C

Depolama Sıcaklık

t STG

‐40~70

°C

Montaj kuvvet

F m

90~130

kN

Parametre

Sembolik

Koşullar

değer

birim

min .

Tipik.

max .

İleri Voltaj

V F

Ben F =3000A

t vj =25 °C

2.60

V

t vj =125 °C

2.85

V

Ters Geri kazanım akımı

Ben RR

IF=3000A, VR=2800V,

diF/dt=‐2500A/μs, VGE=15V,

RGon=1.5Ω,

LS=140nH,

Endüktif yük

t vj =25 °C

1690

A

t vj =125 °C

2750

A

Ters Geri Kazanım Yükü

Q RR

t vj =25 °C

3000

uC

t vj =125 °C

3950

uC

Ters Geri Kazanım Süresi

t RR

t vj =25 °C

1.80

ABD

t vj =125 °C

2.20

ABD

Ters Geri Kazanım enerji Kayıp

E - Bilmiyorum.

t vj =25 °C

4000

mJ

t vj =125 °C

6300

mJ