H50KPU, Faz Kontrol Thyristörü

Sembolik

Karakteristik

Test koşulları

Tj(℃ )

değer

Birim

min

TUR

max

IT(AV)

Ortalama açık durum akımı

180° yarım sinüs dalgası 50Hz

Çift taraflı soğutmalı, TC=70 。C

125

600

A

VDRM VRRM

Tekrarlayan zirve açık durum voltajı Tekrarlayan zirve ters voltaj

tp=10ms

125

7300

8500

V

Idrm Irrm

Tekrarlayan tepe akımı

@ VDRM @ VRRM

125

200

mA

ITSM

Ani açık durum akımı

10ms yarım sinüs dalgası VR=0.6VRRM

125

9.8

kA

I2t

Birleştirme koordinasyonu için I2t

480

A2s*103

VTO

Sınır Voltajı

125

1.04

V

rt

Açık durum eğim direnci

2.33

mΩ

VTM

Zirve açık durum voltajı

ITM=1000A, F=24kN

25

2.95

V

dv/dt

Kapalı durum voltajının kritik artış hızı

VDM=0.67VDRM

125

2000

V/μs

di/dt

Açık durumdaki akımın kritik artış hızı

VDM= 67%VDRM ile 2000A,

Kapı pulsu tr ≤0.5μs IGM ＝ 2.0A

125

100

A/μs

Qrr

Geri Kazanım Yükü

ITM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

2500

μC

IGT

Kapı tetikleme akımı

VA=12V, IA=1A

25

40

300

mA

Vgt

Kapı tetikleme voltajı

0.8

3.0

V

IH

Tutma akımı

25

200

mA

İL

Kilitleme akımı

500

mA

VGD

Tetiklenmeyen kapı voltajı

VDM=0.67VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Termal direnç Kesişimden kasaya

1800 sinüsde, çift taraflı soğutmalı Sıkıştırma kuvveti 24.0kN

0.022

。C /W

Rth(c-h)

Termal direnç kasa ile soğutucu arasında

0.005

。C /W

Fm

Montaj kuvveti

19

24

26

KN

Tvj

Çapraz sıcaklık

-40

125

℃

TSTG

Saklama sıcaklığı

-40

140

℃

Wt

Ağırlık

560

G

Çizelge

KT50dT