1200V 900A
Kısa tanıtım
IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 900A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C = 100O C |
1410 900 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms |
1800 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T =175 O C |
5000 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1200 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
900 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms |
1800 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
değer |
Birim |
t jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
O C |
t Yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
O C |
t STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
O C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı |
Ben C =900A,V GE =15V, t j =25 O C |
|
1.80 |
2.25 |
V |
Ben C =900A,V GE =15V, t j =125 O C |
|
2.10 |
|
|||
Ben C =900A,V GE =15V, t j =150 O C |
|
2.15 |
|
|||
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =22.5 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C |
|
|
5.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C |
|
|
400 |
NA |
r Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
0.6 |
|
Ω |
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE - Hayır. 15V... +15V |
|
7.40 |
|
μC |
t D (ON ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, r Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω, V GE =±15V,T j =25 O C |
|
257 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
96 |
|
ns |
|
t D (OFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
628 |
|
ns |
|
t F |
Sonbahar zamanı |
|
103 |
|
ns |
|
E ON |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
43 |
|
mJ |
|
E OFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
82 |
|
mJ |
|
t D (ON ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, r Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω, V GE =±15V,T j = 125O C |
|
268 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
107 |
|
ns |
|
t D (OFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
659 |
|
ns |
|
t F |
Sonbahar zamanı |
|
144 |
|
ns |
|
E ON |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
59 |
|
mJ |
|
E OFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
118 |
|
mJ |
|
t D (ON ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =900A, r Git = 1.5Ω,R Goff =0,9Ω, V GE =±15V,T j = 150O C |
|
278 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
118 |
|
ns |
|
t D (OFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
680 |
|
ns |
|
t F |
Sonbahar zamanı |
|
155 |
|
ns |
|
E ON |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
64 |
|
mJ |
|
E OFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
134 |
|
mJ |
|
Ben SC |
SC Verileri |
t P ≤ 10μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V |
|
3600 |
|
A |
Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =900A,V GE =0V,T j =25 O C |
|
1.71 |
2.16 |
V |
Ben F =900A,V GE =0V,T j = 125O C |
|
1.74 |
|
|||
Ben F =900A,V GE =0V,T j = 150O C |
|
1.75 |
|
|||
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V r =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C |
|
76 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
513 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
38.0 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V r =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C |
|
143 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
684 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
71.3 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V r =600V,I F =900A, -di/dt=6000A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C |
|
171 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
713 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
80.8 |
|
mJ |
Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
|
20 |
nH |
r CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
0.18 |
|
mΩ |
r - Yürü |
İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod) |
|
|
0.030 0.052 |
K/W |
r thCH |
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül) |
|
0.016 0.027 0.010 |
|
K/W |
m |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
300 |
|
G |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.