Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD900SGF120A3SN,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 1200A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGF120A3SN
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 900A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Yüksek güçlü bisiklet kapasitesi için AlSiC taban plaka
  • AlN altyapısı düşük ısı direnci için

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C

5.34

kw

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

900

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1800

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =900A,V GE =15V, t vj =25 O C

2.00

2.45

V

Ben C =900A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.50

Ben C =900A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.65

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =32.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.44

Ω

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r Git =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj =25 O C

520

ns

t r

Kalkma zamanı.

127

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

493

ns

t F

Sonbahar zamanı

72

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

76.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

85.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r Git =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj =125 O C

580

ns

t r

Kalkma zamanı.

168

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

644

ns

t F

Sonbahar zamanı

89

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

127

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

98.5

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =900A, r Git =1Ω, r Goff =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t vj =150 O C

629

ns

t r

Kalkma zamanı.

176

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

676

ns

t F

Sonbahar zamanı

96

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

134

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

99.0

mJ

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =900A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.95

2.40

V

Ben F =900A,V GE =0V,T vj =125 O C

2.00

Ben F =900A,V GE =0V,T vj =150 O C

2.05

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj =25 O C

80

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

486

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

35.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj =125 O C

153

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

510

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

64.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t vj =150 O C

158

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

513

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

74.0

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

12

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.19

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

28.1 44.1

K/kW

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

9.82 15.4 6.0

K/kW

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantı Döner, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

1050

G

Çizelge

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000