Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD800HFX120C6HA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 800A.

Özellikler

  • L düşük VCE(sat) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • düşük termal direnci için Si3N4 alt tabaka
  • Si3N4 AMB teknolojisi kullanılarak yalıtılmış bakır taban plaka

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =100 O C

800

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1600

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

5172

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

800

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1600

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

2500

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =800A,V GE =15V, t j =25 O C

1.95

2.40

V

Ben C =800A,V GE =15V, t j =125 O C

2.30

Ben C =800A,V GE =15V, t j =150 O C

2.40

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

0.7

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

62.1

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

1.74

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =25 O C

266

ns

t r

Kalkma zamanı.

98

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

394

ns

t F

Sonbahar zamanı

201

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

108

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

73.8

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =125 O C

280

ns

t r

Kalkma zamanı.

115

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

435

ns

t F

Sonbahar zamanı

275

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

153

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

91.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40 nH ,t j =150 O C

282

ns

t r

Kalkma zamanı.

117

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

446

ns

t F

Sonbahar zamanı

290

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

165

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

94.4

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

2.00

2.45

V

Ben F =800A,V GE =0V,T j =1 25O C

2.15

Ben F =800A,V GE =0V,T j =1 50O C

2.20

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =25 O C

48.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

264

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

18.0

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =125 O C

95.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

291

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

35.3

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, L S =40 nH ,t j =150 O C

107

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

293

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

38.5

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.029 0.050

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.028 0.049 0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000