Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD800HFA120C6SD,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFA120C6SD
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 800A.

Özellikler

  • Düşük VCE(sat) Kanal IGBT T teknolojisi
  • Kısa devre yeteneği
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum Çapraz sıcaklık 175o C
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak ters geri kazanım Paralel karşıt FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanılarak

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =100 O C

800

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1600

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C

4687

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

900

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1800

A

Ben FSM

Akım ileri dalgalanma t P =10ms @ T vj =12 5O C @ T vj =175 O C

2392

2448

A

Ben 2t

Ben 2t- değer ,t P =10 Bayan @ t vj =125 O C @ T vj =175 O C

28608

29964

A 2S

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =800A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.40

1.85

V

Ben C =800A,V GE =15V, t vj =125 O C

1.60

Ben C =800A,V GE =15V, t vj =175 O C

1.60

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

28.4

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

2.05

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A, r G =0.5Ω, L S =40nH, V GE =-8V/+15V,

t vj =25 O C

168

ns

t r

Kalkma zamanı.

78

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

428

ns

t F

Sonbahar zamanı

123

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

43.4

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

77.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A,

r G =0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V,

t vj =125 O C

172

ns

t r

Kalkma zamanı.

84

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

502

ns

t F

Sonbahar zamanı

206

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

86.3

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

99.1

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =800A,

r G =0.5Ω, L S =40nH,

V GE =-8V/+15V,

t vj =175 O C

174

ns

t r

Kalkma zamanı.

90

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

531

ns

t F

Sonbahar zamanı

257

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

99.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

105

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤8μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,

V CC =800V, V CEM 1200V

2600

A

t P ≤6μs, V GE =15V,

t vj =175 O C,

V CC =800V, V CEM 1200V

2500

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =900A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.00

V

Ben F =900A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.60

Ben F =900A,V GE =0V,T vj =175 O C

1.50

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =25 O C

47.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

400

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

13.6

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =125 O C

82.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

401

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

26.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =175 O C

110

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

413

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

34.8

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.80

r - Yürü

Kavşak -için -Durum (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.032

0.049

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.030

0.046

0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000