GD800HFA120C2S_B20 , IGBT Modülü, STARPOWER

Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 800A.

Özellikler

Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
Düşük endüktansa olan bir vaka
Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

Motorlu tahrik için inverter
AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1200	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı Geçici kapı-vericiler voltajı	±20 ±30	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	1280 800	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms	1600	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C	3191	W

Diyot

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş	1200	V
Ben F	Diode Sürekli İleri Akım ent	800	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	1600	A

Modül

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
t vjmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	175	O C
t vjop	Hareket noktası sıcaklığı	-40 ile +175	O C
t STG	Depolama sıcaklık aralığı	-40'tan +125'e kadar	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada	4000	V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =800A,V GE =15V, t vj =25 O C		1.30	1.75	V
		Ben C =800A,V GE =15V, t vj =125 O C		1.45
		Ben C =800A,V GE =15V, t vj =150 O C		1.50
		Ben C =800A,V GE =15V, t vj =175 O C		1.55
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =32.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C	5.5	6.1	7.0	V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF akım	V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C			1.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları akım	V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C			400	NA
r Gint	İç kapı direnci			0.38		Ω
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		156		NF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		1.10		NF
Q G	Geçit Ücreti	V GE =-8…+15V		10.3		μC
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =800A, r G =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t vj =25 O C		338		ns
t r	Kalkma zamanı.			174		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			1020		ns
t F	Sonbahar zamanı			100		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			65.2		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			88.8		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =800A, r G =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t vj =125 O C		398		ns
t r	Kalkma zamanı.			203		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			1140		ns
t F	Sonbahar zamanı			183		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			96.6		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			109		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =800A, r G =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t vj =150 O C		413		ns
t r	Kalkma zamanı.			213		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			1140		ns
t F	Sonbahar zamanı			195		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			105		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			113		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =800A, r G =1.2Ω, V GE =-8V/+15V, t vj =175 O C		419		ns
t r	Kalkma zamanı.			223		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			1142		ns
t F	Sonbahar zamanı			205		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			110		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			115		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp
Ben SC	SC Verileri	t P ≤8μs, V GE =15V, t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V		3300		A
Ben SC	SC Verileri	t P ≤6μs, V GE =15V, t vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V		3000		A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =800A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
		Ben F =800A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.85
		Ben F =800A,V GE =0V,T vj =150 O C		1.85
		Ben F =800A,V GE =0V,T vj =175 O C		1.85
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =600V,I F =800A, -di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, t vj =25 O C		28.6		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			311		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			13.9		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =600V,I F =800A, -di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, t vj =125 O C		56.8		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			378		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			23.7		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =600V,I F =800A, -di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, t vj =150 O C		66.3		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			395		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			26.7		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =600V,I F =800A, -di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, t vj =175 O C		72.1		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			403		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			28.6		mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim
L CE	Savrulan endüktansa		20		nH
r CC+EE	Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe		0.42		mΩ
r - Yürü	Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)			0.047 0.083	K/W
r thCH	Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)		0.031 0.055 0.010		K/W
m	Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		320		G