GD75PFX170C6SG,IGBT Modülü,STARPOWER

Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 75A.

Özellikler

Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
10μs kısa devre kapasitesi
Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
Düşük endüktansa olan bir vaka
Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

Motorlu tahrik için inverter
AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT-invertör

Sembolik	Açıklama	Değerler	Birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1700	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C	139 75	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms	150	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C	559	W

Diyot-dönüştürücü

Sembolik	Açıklama	Değerler	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş	1700	V
Ben F	Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık	75	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	150	A

Diyod-diktleme

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş	2000	V
Ben O	Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga	75	A
Ben FSM	Akım ileri dalgalanma t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj =150 O C	1440 1206	A
Ben 2t	Ben 2t-değeri,t P =10ms @ T vj =25 O C @ T vj =150 O C	10368 7272	A 2S

Modül

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
t vjmax	Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)	175 150	O C
t vjop	Hareket noktası sıcaklığı	-40 ile +150 arasında	O C
t STG	Depolama sıcaklık aralığı	-40'tan +125'e kadar	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada	4000	V

IGBT -Değiştiriciler Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =75A,V GE =15V, t vj =25 O C		1.85	2.20	V
		Ben C =75A,V GE =15V, t vj =125 O C		2.25
		Ben C =75A,V GE =15V, t vj =150 O C		2.35
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF akım	V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C			5.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları akım	V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C			400	NA
r Gint	İç kapı direnci			8.5		Ω
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		9.03		NF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.22		NF
Q G	Geçit Ücreti	V GE =-15 ...+15V		0.71		μC
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,t vj =25 O C		236		ns
t r	Kalkma zamanı.			42		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			356		ns
t F	Sonbahar zamanı			363		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			17.3		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			11.7		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,t vj =125 O C		252		ns
t r	Kalkma zamanı.			48		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			420		ns
t F	Sonbahar zamanı			485		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			27.1		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			16.6		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,t vj =150 O C		275		ns
t r	Kalkma zamanı.			50		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			432		ns
t F	Sonbahar zamanı			524		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			27.9		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			17.7		mJ
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs, V GE =15V, t vj =150 O C ,V CC =1000V , V CEM ≤1700V		300		A

Diyot -Değiştiriciler Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =75A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.80	2.25	V
		Ben F =75A,V GE =0V,T vj =12 5O C		1.90
		Ben F =75A,V GE =0V,T vj =15 0O C		1.95
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =75A, -di/dt=1290A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,t vj =25 O C		10.3		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			84		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			7.44		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =75A, -di/dt=1100A/μs,V GE - Hayır. 15V L S =46 nH ,t vj =125 O C		20.5		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			87		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			16.1		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =75A, -di/dt=1060A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,t vj =150 O C		22.5		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			97		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			19.2		mJ

Diyot -doğrultucu Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben C =75A, t vj =150 O C		0.95		V
Ben r	Ters akım	t vj =150 O C ,V r =2000V			3.0	mA

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
r 25	Rating direnci			5.0		KΩ
∆R/R	Değişim ile ilgili r 100	t C =100 O C R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Güç dağılım				20.0	mW
B 25/50	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim
r - Yürü	Kavşak -için -DURUM (perIGBT -Değiştiriciler ) Birleme-Noktası ile Vucuta (her DIOD-inverter başına ter) Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er)			0.268 0.481 0.289	K/W
r thCH	DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT -Değiştiriciler )Kabuktan-Işığına (her Diyatoda- değiştirici) Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)		0.106 0.190 0.114 0.009		K/W
m	Montaj Döner, Vuruş: M5	3.0		6.0	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		300		G