Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD75HFX170C1S,IGBT Modülü,STARPOWER

1700V 100A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD75HFX170C1S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 75A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

150

A

P D

Maksimum Güç dağılım @ t vj =175 O C

539

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

75

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

150

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =75A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =75A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Ben C =75A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

8.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.22

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,t vj =25 O C

237

ns

t r

Kalkma zamanı.

59

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

314

ns

t F

Sonbahar zamanı

361

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

25.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.5

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,t vj =125 O C

254

ns

t r

Kalkma zamanı.

70

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

383

ns

t F

Sonbahar zamanı

524

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

33.3

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

15.1

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =75A, r G =6.8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,t vj =150 O C

257

ns

t r

Kalkma zamanı.

75

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

396

ns

t F

Sonbahar zamanı

588

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

36.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

16.6

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =12 5O C

1.90

Ben F =75A,V GE =0V,T vj =15 0O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,t vj =25 O C

16.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

58

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

7.2

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,t vj =125 O C

30.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

64

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

15.8

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,t vj =150 O C

31.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

64

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

18.2

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

30

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.65

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.278 0.467

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.160 0.268 0.050

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

150

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000