GD750HFA120C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =100 O C

750

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1500

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C

3125

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

900

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1500

A

Ben FSM

Akım ileri dalgalanma t P =10ms @ T vj = 25O C @ T vj =150 O C

3104

2472

A

Ben 2t

Ben 2t- değer ,t P =10 Bayan @ t vj =25 O C @ T vj =150 O C

48174

30554

A 2S

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =750A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.35

1.85

V

Ben C =750A,V GE =15V, t vj =125 O C

1.55

Ben C =750A,V GE =15V, t vj =175 O C

1.55

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =24.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

0.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.45

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =750A,

r G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,t vj =25 O C

238

ns

t r

Kalkma zamanı.

76

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

622

ns

t F

Sonbahar zamanı

74

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

68.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

52.8

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =750A, r G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,t vj =125 O C

266

ns

t r

Kalkma zamanı.

89

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

685

ns

t F

Sonbahar zamanı

139

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

88.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

67.4

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =750A, r G =0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =40 nH ,t vj =175 O C

280

ns

t r

Kalkma zamanı.

95

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

715

ns

t F

Sonbahar zamanı

166

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

102

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

72.7

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤8μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2500

A

t P ≤6μs, V GE =15V,

t vj =175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =750A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.60

2.05

V

Ben F =750A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.65

Ben F =750A,V GE =0V,T vj =175 O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =25 O C

79.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

369

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

23.3

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =125 O C

120

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

400

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

39.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S =40 nH ,t vj =175 O C

151

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

423

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

49.7

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.80

mΩ

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.048 0.088

K/W

r thCH

DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT )Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.028 0.051 0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G