IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 70 O C

830

600

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

1200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =150 O C

4032

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

600

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1200

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =600A,V GE =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V

Ben C =600A,V GE =15V, t j =125 O C

3.60

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =6.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.0

5.8

6.6

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

0.25

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

39.0

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

2.55

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

6.30

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G = 1. 1Ω,

V GE =±15V, t j =25 O C

205

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

265

ns

t F

Sonbahar zamanı

140

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

50.4

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

20.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =600A, r G = 1. 1Ω,

V GE =±15V, t j = 125O C

210

ns

t r

Kalkma zamanı.

55

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

275

ns

t F

Sonbahar zamanı

175

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

66.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

28.9

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

3900

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =600A,V GE =0V,T j =25 O C

2.25

2.70

V

Ben F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

2.35

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15V, t j =25 O C

42.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

492

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

16.6

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt= 12kA/μs,V GE =±15V, t j = 125O C

80.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

672

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

37.9

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.18

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.031

0.070

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.051

0.114

0.035

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantısı Tork, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G