Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD600HFX170C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX170C6S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 600A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı akım @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

1069

600

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı akım t P =1 Bayan

1200

A

P D

Maksimum Güç dağılım @ t j =175 O C

4166

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

600

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

1200

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı atür

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 için +150

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40 için +125

O C

V ISO

İzolasyon Voltaj RMS , f=50 Hz , t=1 min

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat )

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =600A, V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =600A, V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Ben C =600A, V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 12.0mA ,V CE = V GE ,t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı kesimi

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V,

t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

1.1

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V, f=1 MHz ,

V GE =0V

72.3

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

1.75

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

5.66

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V, Ben C =600A, r G = 1,0Ω, V GE =±15V, t j =25 O C

160

ns

t r

Kalkma zamanı.

67

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

527

ns

t F

Sonbahar zamanı

138

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

154

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

132

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V, Ben C =600A, r G = 1,0Ω, V GE =±15V, t j = 125O C

168

ns

t r

Kalkma zamanı.

80

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

585

ns

t F

Sonbahar zamanı

168

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

236

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

189

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V, Ben C =600A, r G = 1,0Ω, V GE =±15V, t j = 150O C

192

ns

t r

Kalkma zamanı.

80

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

624

ns

t F

Sonbahar zamanı

198

ns

E ON

Anahtarlama

Kayıp

259

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

195

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C ,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2400

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =600A, V GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =600A, V GE =0V, t j = 125O C

1.90

Ben F =600A, V GE =0V, t j = 150O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V, Ben F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

153

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

592

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

76.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V, Ben F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE - Hayır. 15V t j =125 O C

275

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

673

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

150

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V, Ben F =600A,

-di /dt =6700A/μs, V GE - Hayır. 15V t j =150 O C

299

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

690

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

173

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B- değer

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B- değer

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B- değer

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC + EE

Modül Kurşun Direnci, Terminal Chip'e

1.10

r - Yürü

Kavşak -için -Durum (her IGBT )

Kavşak -için -Durum (her Diyot )

0.036

0.073

K/W

r thCH

Durum -için -Isı çubuğu (her IGBT )

Durum -için -Isı çubuğu (her Diyot )

Kürsüden ısı alacağı (modül başına)

0.027

0.055

0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, Vurulmuş📌 M6 Montaj Tork , Vurulmuş📌 m 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Ağırlığı Modül

350

G

Çizelge

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000