GD50PIX170C6SA,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

100

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

384

W

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

50

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

100

A

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1600

V

Ben O

Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga

50

A

Ben FSM

Artımlı İleri Akım V r =0V,T P =10ms,T j =45 O C

850

A

Ben 2t

Ben 2T-değeri,V r =0V,T P =10m s,T j =45 O C

3610

A 2S

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

100

50

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

100

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

384

W

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

50

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

100

A

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter,fren) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)

175

150

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =50A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =50A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Ben C =50A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Çabuk

9.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

163

ns

t r

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

290

ns

t F

Sonbahar zamanı

347

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

12.7

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

7.28

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

186

ns

t r

Kalkma zamanı.

51

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

361

ns

t F

Sonbahar zamanı

535

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

17.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

11.1

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

192

ns

t r

Kalkma zamanı.

52

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

374

ns

t F

Sonbahar zamanı

566

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

20.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.0

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

Ben F =50A,V GE =0V,T j =150 O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

11.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

48

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.08

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

20.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

52

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

11.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

23.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

54

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

13.1

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =50A, V GE =0V, t j =150 O C

1.14

V

Ben r

Ters akım

t j =150 O C,V r =1600V

3.0

mA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =50A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =50A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Ben C =50A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

9.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

163

ns

t r

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

290

ns

t F

Sonbahar zamanı

347

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

12.7

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

7.28

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

186

ns

t r

Kalkma zamanı.

51

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

361

ns

t F

Sonbahar zamanı

535

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

17.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

11.1

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

192

ns

t r

Kalkma zamanı.

52

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

374

ns

t F

Sonbahar zamanı

566

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

20.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.0

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.95

Ben F =50A,V GE =0V,T j =150 O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

11.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

48

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.08

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

20.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

52

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

11.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

23.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

54

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

13.1

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

60

nH

r CC+EE r AA + CC ’

Modül Kurşun Direnci nce, Terminal'den Çip'e

4.00 2.00

mΩ

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT -Değiştiriciler ) Birleme-Noktası ile Vucuta (her DIOD-inverter başına ter) Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er) Kavşak -için -DURUM (perIGBT -Fren )

Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

r thCH

DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT -Değiştiriciler )Kabuktan-Işığına (her Diyatoda- değiştirici) Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT -Fren )

Kasa-Isı Sigortası (her Dio de-fren) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

m

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G