GD400HTX120P6H,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

400

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T F =120 O C

250

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

800

A

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ t F =75 O C t j =175 O C

970

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj GE

1200

V

Ben FN

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

400

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

250

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

800

A

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Bir periyotta 10s 30s, oluşum maksimum 3000 kez ömür boyu ben

-40 ile +150 arasında +150 ile +175

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

D Sürünme

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

9.0 9.0

mm

D şeffaf

Terminal ile Soğutucu Terminal ile Terminal

4.5 4.5

mm

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =250A,V GE =15V, t j =25 O C

1.45

1.80

V

Ben C =250A,V GE =15V, t j =125 O C

1.65

Ben C =250A,V GE =15V, t j =150 O C

1.70

Ben C =380A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

Ben C =380A,V GE =15V, t j =150 O C

2.15

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =9.75 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

2.4

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

33.6

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.43

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.82

NF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =600V,I C =250A, V GE =-8…+15V

1.98

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =250A, r G =2.2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =25 O C

231

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

545

ns

t F

Sonbahar zamanı

172

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

19.6

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

23.2

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =250A, r G =2.2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =125 O C

241

ns

t r

Kalkma zamanı.

57

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

619

ns

t F

Sonbahar zamanı

247

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

26.6

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

28.7

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =250A, r G =2.2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

t j =150 O C

245

ns

t r

Kalkma zamanı.

57

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

641

ns

t F

Sonbahar zamanı

269

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

30.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

30.9

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤6μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =250A,V GE =0V,T j =25 O C

1.50

1.90

V

Ben F =250A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.45

Ben F =250A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.40

Ben F =380A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

Ben F =380A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =250A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t j =25 O C

9.10

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

160

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

4.39

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =250A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t j =125 O C

21.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

192

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

8.43

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =250A,

-di⁄dt=4120A⁄μs,V GE =-8V L S =24 nH ,t j =150 O C

25.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

203

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

9.97

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

8

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.75

mΩ

△ P

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

64

mbar

P

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

bar

r thJF

Bağlantı Noktası ile Soğutma Sıvısı (per IGBT) Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

0.090 0.126

0.103 0.145

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M4 vida

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

750

G