GD400HTX120P4SD,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben FN

Uygulanan Forward Cu Kiralık

400

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

300

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

800

A

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.50

1.95

V

Ben C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

Ben C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

1.65

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 16.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.3

5.8

6.3

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

0.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

41.4

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

1.16

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =15V

3.11

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =25 nH ,t j =25 O C

223

ns

t r

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

354

ns

t F

Sonbahar zamanı

228

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

6.24

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

20.1

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125 O C

229

ns

t r

Kalkma zamanı.

36

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

411

ns

t F

Sonbahar zamanı

344

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

11.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

28.6

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150 O C

231

ns

t r

Kalkma zamanı.

38

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

421

ns

t F

Sonbahar zamanı

352

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

12.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

29.7

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.35

1.80

V

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.35

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.35

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =500V,I F =300A,

-di/dt=9700A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25 O C

32.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

478

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

22.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =500V,I F =300A,

-di/dt=8510A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125 O C

45.9

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

522

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

32.7

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =500V,I F =300A,

-di/dt=8250A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150 O C

51.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

537

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

37.4

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

△ P

Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk

△ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;t F =25 O C ;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol

100

mbar

P

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

bar

L CE

Savrulan endüktansa

14

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.80

mΩ

r thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT ) Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış)

0.100 0.125

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

1340

G