Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

Anasayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD400HTX120P4SA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V400A Paket:P4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HTX120P4SA
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 400A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Düşük değişim kayıpları
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • DBC teknolojisi kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plakası

Tipik Uygulamalar

  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu kiralık

400

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T F =25 o C @ T F =75 o C

400

300

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

800

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C

1500

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt yaş

1200

V

Ben FN

Uygulanan Forward Cu kiralık

400

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu kiralık

300

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

800

A

Modül

Sembolik

Açıklama

Değer

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.50

1.95

V

Ben C =300A,V GE =15V, T j =125 o C

1.60

Ben C =300A,V GE =15V, T j =150 o C

1.65

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 16.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.3

5.8

6.3

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF Akım

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci

0.5

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

41.4

nF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

1.16

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =15V

3.11

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =25 nH ,T j =25 o C

74

ns

t r

Kalkma zamanı.

31

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

352

ns

t f

Sonbahar zamanı

255

ns

E oN

Anahtarlama Kayıp

4.01

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

22.9

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125 o C

81

ns

t r

Kalkma zamanı.

34

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

411

ns

t f

Sonbahar zamanı

397

ns

E oN

Anahtarlama Kayıp

7.40

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

32.2

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =500V,I C =300A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150 o C

82

ns

t r

Kalkma zamanı.

36

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

425

ns

t f

Sonbahar zamanı

434

ns

E oN

Anahtarlama Kayıp

8.90

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

35.2

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diyot Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.70

2.15

V

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.70

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.70

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=10600A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25 o C

15.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

391

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

9.40

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9600A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125 o C

24.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

457

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

18.4

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =500V,I F =300A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150 o C

29.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

488

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

23.2

mJ

NTC Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

R 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

Dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B değeri

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Modül Özellikler T F =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

p

Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk

V/ t=10.0 dm 3/min ;T F =25 o C ;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol

100

mbar

p

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.5

bar

L CE

Savrulan endüktansa

14

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.80

R thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT ) Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış)

0.100 0.125

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

1250

g

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
0/100
Ad
0/100
Şirket Adı
0/200
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
0/100
Ad
0/100
Şirket Adı
0/200
Mesaj
0/1000