GD400HTX120P4S ,IGBT Modülü,STARPOWER

Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 400A.

Özellikler

Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
Düşük değişim kayıpları
10μs kısa devre kapasitesi
Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
Düşük endüktansa olan bir vaka
Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
DBC teknolojisi kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plakası

Tipik Uygulamalar

Hibrit ve Elektrikli Araç
Motorlu tahrik için inverter
Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Ben GBT

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1200	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben Çin	Uygulanan Kolektör Cu Kiralık	400	A
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T F =25 O C @ T F =75 O C	400 300	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms	800	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C	1500	W

Diyot

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş	1200	V
Ben FN	Uygulanan Forward Cu Kiralık	400	A
Ben F	Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık	300	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	800	A

Modül

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
t jmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	175	O C
t Yapma	Hareket noktası sıcaklığı	-40 ile +150 arasında	O C
t STG	Depolama sıcaklık aralığı	-40'tan +125'e kadar	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada	2500	V

IGBT Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =300A,V GE =15V, t j =25 O C		1.50	1.95	V
		Ben C =300A,V GE =15V, t j =125 O C		1.60
		Ben C =300A,V GE =15V, t j =150 O C		1.65
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C = 16.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.3	5.8	6.3	V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF akım	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları akım	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	İç kapı direnci			0.5		Ω
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		41.4		NF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		1.16		NF
Q G	Geçit Ücreti	V GE =15V		3.11		μC
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		171		ns
t r	Kalkma zamanı.			54		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			433		ns
t F	Sonbahar zamanı			41		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			18.2		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			13.4		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		193		ns
t r	Kalkma zamanı.			54		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			546		ns
t F	Sonbahar zamanı			93		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			25.7		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			26.8		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		203		ns
t r	Kalkma zamanı.			64		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			628		ns
t F	Sonbahar zamanı			93		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			27.8		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			30.9		mJ
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1600		A

Diyot Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 O C		1.55	1.80	V
		Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.50
		Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.45
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =500V,I F =300A, -di⁄dt=3150A⁄μs,V GE =-15V t j =25 O C		25.7		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			229		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			6.7		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =500V,I F =300A, -di⁄dt=3150A⁄μs,V GE =-15V t j =125 O C		49.0		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			380		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			17.1		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =500V,I F =300A, -di⁄dt=3150A⁄μs,V GE =-15V t j =150 O C		57.0		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			380		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			20.0		mJ

NTC Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
r 25	Rating direnci			5.0		KΩ
∆R/R	Değişim ile ilgili r 100	t C =100 O C R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Güç dağılım				20.0	mW
B 25/50	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modül Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim
△ P	Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ;t F =25 O C ;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol		100		mbar
P	Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk			2.5	bar
L CE	Savrulan endüktansa		14		nH
r CC+EE	Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal		0.80		mΩ
r thJF	Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT ) Soğutma Sıvısına Kavuşan Birleşim (per Di (çıkış)			0.100 0.125	K/W
m	Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit	2.5 3.0		5.0 6.0	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		1250		G