Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD3600SGX170C4S,IGBT Modülü,Yüksek akım igbt modülü,STARPOWER

1700V 3600A, C4

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD3600SGX170C4S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1 700V 3600A ,C4 .

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Yüksek Güçlü Değiştiriciler
  • Motor Sürücüleri

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =100 O C

3600

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

7200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

21.4

kw

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

3600

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

7200

A

Ben FSM

Artımlı İleri Akım V r =0V,T P =10ms, @T j =25 O C @T j =150 O C

23.22 19.95

kA

Ben 2t

Ben 2T-değeri,V r =0V,T P =10m s,T j =25 O C Ben 2T-değeri,V r =0V,T P =10ms ,t j =150 O C

2695

1990

kA 2S

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =3600A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.30

V

Ben C =3600A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Ben C =3600A,V GE =15V, t j =150 O C

2.30

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =144.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

0.7

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

427

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

10.7

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

35.3

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =3600A, r Git =1.2Ω, r Goff =0,9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,t j =25 O C

1161

ns

t r

Kalkma zamanı.

413

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

4761

ns

t F

Sonbahar zamanı

430

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

1734

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

2580

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =3600A, r Git =1.2Ω, r Goff =0,9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,t j =125 O C

1370

ns

t r

Kalkma zamanı.

547

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

5303

ns

t F

Sonbahar zamanı

457

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

2679

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

2881

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =3600A, r Git =1.2Ω, r Goff =0,9Ω, V GE =-9V/+15V,

L S =65 nH ,t j =150 O C

1413

ns

t r

Kalkma zamanı.

585

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

5490

ns

t F

Sonbahar zamanı

473

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

2863

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

2960

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

14.0

kA

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =3600A,V GE =0V,T j = 25O C

1.80

2.25

V

Ben F =3600A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

Ben F =3600A,V GE =0V,T j =150 O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =3600A,

-di/dt=7000A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,t j =25 O C

207

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

1030

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

199

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =3600A,

-di/dt=5700/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,t j =125 O C

288

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

1020

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

339

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =3600A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-9V, L S =65 nH ,t j =150 O C

391

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

996

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

341

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

6.0

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.085

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

7.0 12.8

K/kW

r thCH

DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT )Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

6.2 11.3 4.0

K/kW

D Sürünme

Terminal-Isı Sigortası Terminal-Terminal

32.2 32.2

mm

D şeffaf

Terminal-Isı Sigortası Terminal-Terminal

19.1 19.1

mm

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantı Döner, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

2060

G

Çizelge

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000