IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD3600SGT120C4S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

± 20

V

Ben C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

4800

A

3600

Ben CM (1)

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

7200

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım

3600

A

Ben Fm

Diyotun En Yüksek İleri Kur kira

7200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =17 5°C

16.7

kw

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

°C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

°C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaj

Sinyal Terminalı Vuruş: M4

1.8 ile 2.1

Güç Terminal Vida:M8

8.0'dan 10

N.M

Tork

Montaj Vuruş: M6

4.25'e kadar 5.75

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları

akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı

Voltaj

Ben C =145 mA ,V CE = V GE ,t j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =3600A,V GE =15V, t j =25 °C

1.70

2.15

V

Ben C =3600A,V GE =15V, t j =125 °C

2.00

2.45

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

35.0

μC

r Gint

Dahili Kapı Direnci

t j =25 °C

0.5

Ω

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =3600A, r Git =0.8Ω,

r Goff =0.2Ω,

V GE = ± 15V,T j =25 °C

600

ns

t r

Kalkma zamanı.

235

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

825

ns

t F

Sonbahar zamanı

145

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

/

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

/

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =3600A, r Git =0.8Ω,

r Goff =0.2Ω,

V GE = ± 15V,T j =125 °C

665

ns

t r

Kalkma zamanı.

215

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

970

ns

t F

Sonbahar zamanı

180

ns

E ON

Aç Değişim Kaybı

736

mJ

E OFF

Kapatma Anahtarlama Kaybı

569

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

258

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

13.5

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

11.7

NF

Ben SC

SC Verileri

t S C ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =125 °C V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

14000

A

L CE

Savrulan endüktansa

10

nH

r CC + EE ’

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.12

m Ω

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =3600A

t j =25 °C

1.65

2.15

V

t j =125 °C

1.65

2.15

Q r

Geri Alınan Ücret

Ben F =3600A,

V r =600V,

r Git =0.8Ω,

V GE - Hayır. 15V

t j =25 °C

360

μC

t j =125 °C

670

Ben RM

Ters Çıkarma akım

t j =25 °C

2500

A

t j =125 °C

3200

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

97

mJ

t j =125 °C

180

Sembolik

Parametre

Tipik.

Max.

Birimler

r θ JC

İlişki (İGB başına) T)

9.0

K/kW

r θ JC

Diyot için Kasa'ya Bağlantı (per Dio de)

15.6

K/kW

r θ CS

Çuvaldan Dökme

(İletken yağ uygulanmış, per M odül)

4

K/kW

Ağırlık

Ağırlık ile ilgili Modül

2250

G