Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

Ana sayfa /  Ürünler  /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD300HFX170C6S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C6S
  • Giriş
  • Çizelge
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1700V 300A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C = 100O C

493

300

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

600

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175 O C

1829

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

300

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

600

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

Ben C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 12.0mA,V CE =V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.88

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =300A, r Git =3.3Ω,

r Goff =4.7Ω, V GE =±15V,

t j =25 O C

213

ns

t r

Kalkma zamanı.

83

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

621

ns

t F

Sonbahar zamanı

350

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

79.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

70.2

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =300A, r Git =3.3Ω,

r Goff =4.7Ω, V GE =±15V,

t j = 125O C

240

ns

t r

Kalkma zamanı.

92

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

726

ns

t F

Sonbahar zamanı

649

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

104

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

108

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =300A, r Git =3.3Ω, r Goff =4.7Ω,

V GE =±15V, t j = 150O C

248

ns

t r

Kalkma zamanı.

95

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

736

ns

t F

Sonbahar zamanı

720

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

115

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

116

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Ben F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

82.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

407

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

46.6

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

138

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

462

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

92.2

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =300A,

-di/dt=3300A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

154

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

460

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

109

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

1.10

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.082 0.129

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.029 0.046 0.009

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

350

G

Çizelge

image(c537ef1333).png

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Al

Temsilcimiz sizinle yakında iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000