Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD300HFQ120C2SD,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1200V 300A, Ambalaj:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFQ120C2SD
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 300A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satür) hendek IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • VCE (sat) ile pozitif Sıcaklık katsayı
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Aktarma modu güç kaynağı
  • Indüktif ısıtma
  • Elektronik kaynak

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

452

300

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

600

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C

1724

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

300

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

600

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =300A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Ben C =300A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Ben C =300A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =7.50 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

31.1

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.87

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

2.33

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =25 O C

200

ns

t r

Kalkma zamanı.

47

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

245

ns

t F

Sonbahar zamanı

65

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

20.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.15

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =125 O C

206

ns

t r

Kalkma zamanı.

49

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

280

ns

t F

Sonbahar zamanı

94

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

29.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.5

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T vj =150 O C

209

ns

t r

Kalkma zamanı.

51

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

295

ns

t F

Sonbahar zamanı

105

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

35.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

13.6

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =300A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Ben F =300A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Ben F =300A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=5570A/μs, V GE =-15V, LS =45 nH ,t vj =25 O C

28.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

287

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

8.81

mJ

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-15V, LS =45 nH ,t vj =125 O C

44.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

295

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

14.3

mJ

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =-15V, LS =45 nH ,t vj =150 O C

50.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

300

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

16.0

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.087 0.153

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.031 0.055 0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G

Çizelge

image(c3756b8d25).png

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000