Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD275MJS120L6S,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1200V 275A, Paket:L6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD275MJS120L6S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 275A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satür) hendek IGBT teknolojisi
  • VCE (sat) ile pozitif Sıcaklık katsayı
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plaka kullanıma Si3 N4 AMB teknolojisi

Tipik Uygulamalar

Güneş Enerjisi

3-seviye-uygulama

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

T1-T4 IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Toplayıcı C akım

275

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =100 O C

110

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

450

A

D1/D4 Diodi

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben FN

Uygulanan İleri Akım ent

275

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

300

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

450

A

D2/D3 Diodi

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben FN

Uygulanan İleri Akım ent

275

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

225

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

450

A

D5/D6 Diodi

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben FN

Uygulanan İleri Akım ent

275

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

300

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

450

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

3200

V

T1-T4 IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =225A,V GE =15V, t j =25 O C

2.00

2.45

V

Ben C =225A,V GE =15V, t j =125 O C

2.70

Ben C =225A,V GE =15V, t j =150 O C

2.90

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =9.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

1.7

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

38.1

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.66

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =225A, r G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j =25 O C

154

ns

t r

Kalkma zamanı.

45

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

340

ns

t F

Sonbahar zamanı

76

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

13.4

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

8.08

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =225A, r G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j =125 O C

160

ns

t r

Kalkma zamanı.

49

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

388

ns

t F

Sonbahar zamanı

112

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

17.6

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

11.2

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =225A, r G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j =150 O C

163

ns

t r

Kalkma zamanı.

51

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

397

ns

t F

Sonbahar zamanı

114

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

18.7

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.0

mJ

D1/D4 Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j =25 O C

20.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.84

mJ

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j =125 O C

32.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

277

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

11.5

mJ

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j =150 O C

39.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

288

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

14.0

mJ

D2/D3 Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =225A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

Ben F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

Ben F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

D5/D6 Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.60

2.05

V

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.60

Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j =25 O C

18.6

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

189

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

5.62

mJ

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j =125 O C

34.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

11.4

mJ

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j =150 O C

38.9

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

265

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

13.2

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç Dissipasyonu

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

r - Yürü

Birleşim-Kabuk (her T1 -T4 IGBT) Birleşim-Kabuk (her D1/D4 D (iod) Birleşim-Kabuk (her D2/D3 D (iod) Birleşim-Kabuk (her D5/D6 D (iod)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

r thCH

Kabuk-Işıl Tabanca (her T 1-T4 IGBT) Kabuk-Işıl Tabanca (her D1/D4 Diyot) Kabuk-Işıl Tabanca (her D2/D3 Diyot) Kabuk-Işıl Tabanca (her D5/D6 Diyot)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

m

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

250

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000