IGBT Modülü, 1200V 275A, Paket:L6
Kısa tanıtım
IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 275A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Güneş Enerjisi
3-seviye-uygulama
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
T1-T4 IGBT
Sembolik |
Açıklama |
değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben Çin |
Uygulanan Toplayıcı C akım |
275 |
A |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =100 O C |
110 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms |
450 |
A |
D1/D4 Diodi
Sembolik |
Açıklama |
değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş |
1200 |
V |
Ben FN |
Uygulanan İleri Akım ent |
275 |
A |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık |
300 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms |
450 |
A |
D2/D3 Diodi
Sembolik |
Açıklama |
değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş |
1200 |
V |
Ben FN |
Uygulanan İleri Akım ent |
275 |
A |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık |
225 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms |
450 |
A |
D5/D6 Diodi
Sembolik |
Açıklama |
değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş |
1200 |
V |
Ben FN |
Uygulanan İleri Akım ent |
275 |
A |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık |
300 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms |
450 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
değer |
Birim |
t jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
O C |
t Yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
O C |
t STG |
Depolama sıcaklık aralığı |
-40'tan +125'e kadar |
O C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada |
3200 |
V |
T1-T4 IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı |
Ben C =225A,V GE =15V, t j =25 O C |
|
2.00 |
2.45 |
V |
Ben C =225A,V GE =15V, t j =125 O C |
|
2.70 |
|
|||
Ben C =225A,V GE =15V, t j =150 O C |
|
2.90 |
|
|||
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =9.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C |
|
|
1.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C |
|
|
400 |
NA |
r Gint |
İç kapı direnci |
|
|
1.7 |
|
Ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
|
38.1 |
|
NF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.66 |
|
NF |
|
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE =-15…+15V |
|
2.52 |
|
μC |
t D (ON ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =225A, r G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j =25 O C |
|
154 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
45 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
340 |
|
ns |
|
t F |
Sonbahar zamanı |
|
76 |
|
ns |
|
E ON |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
13.4 |
|
mJ |
|
E OFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
8.08 |
|
mJ |
|
t D (ON ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =225A, r G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j =125 O C |
|
160 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
49 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
388 |
|
ns |
|
t F |
Sonbahar zamanı |
|
112 |
|
ns |
|
E ON |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
17.6 |
|
mJ |
|
E OFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
11.2 |
|
mJ |
|
t D (ON ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =225A, r G =2Ω,V GE =-8/+15V, L S =36 nH ,t j =150 O C |
|
163 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
51 |
|
ns |
|
t d (((off) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
397 |
|
ns |
|
t F |
Sonbahar zamanı |
|
114 |
|
ns |
|
E ON |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
18.7 |
|
mJ |
|
E OFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
12.0 |
|
mJ |
D1/D4 Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 O C |
|
1.60 |
2.05 |
V |
Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C |
|
1.60 |
|
|||
Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C |
|
1.60 |
|
|||
Q r |
Geri kazanılmış şarj |
V r =600V,I F =225A, -di/dt=5350A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j =25 O C |
|
20.1 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
250 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
6.84 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri kazanılmış şarj |
V r =600V,I F =225A, -di/dt=5080A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j =125 O C |
|
32.5 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
277 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
11.5 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri kazanılmış şarj |
V r =600V,I F =225A, -di/dt=4930A/μs,V GE =-8V L S =36 nH ,t j =150 O C |
|
39.0 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
288 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
14.0 |
|
mJ |
D2/D3 Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =225A,V GE =0V,T j =25 O C |
|
1.60 |
2.05 |
V |
Ben F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C |
|
1.60 |
|
|||
Ben F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C |
|
1.60 |
|
D5/D6 Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =300A,V GE =0V,T j =25 O C |
|
1.60 |
2.05 |
V |
Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C |
|
1.60 |
|
|||
Ben F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C |
|
1.60 |
|
|||
Q r |
Geri kazanılmış şarj |
V r =600V,I F =225A, -di/dt=5050A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j =25 O C |
|
18.6 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
189 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
5.62 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri kazanılmış şarj |
V r =600V,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j =125 O C |
|
34.1 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
250 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
11.4 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri kazanılmış şarj |
V r =600V,I F =225A, -di/dt=4720A/μs,V GE =-8V L S =30 nH ,t j =150 O C |
|
38.9 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
265 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma enerji |
|
13.2 |
|
mJ |
NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
r 25 |
Rating direnci |
|
|
5.0 |
|
KΩ |
∆R/R |
Değişim ile ilgili r 100 |
t C =100 O C R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Güç Dissipasyonu |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B değeri |
r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
k |
B 25/80 |
B değeri |
r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
k |
B 25/100 |
B değeri |
r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
k |
Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
15 |
|
nH |
r - Yürü |
Birleşim-Kabuk (her T1 -T4 IGBT) Birleşim-Kabuk (her D1/D4 D (iod) Birleşim-Kabuk (her D2/D3 D (iod) Birleşim-Kabuk (her D5/D6 D (iod) |
|
|
0.070 0.122 0.156 0.122 |
K/W |
r thCH |
Kabuk-Işıl Tabanca (her T 1-T4 IGBT) Kabuk-Işıl Tabanca (her D1/D4 Diyot) Kabuk-Işıl Tabanca (her D2/D3 Diyot) Kabuk-Işıl Tabanca (her D5/D6 Diyot) |
|
0.043 0.053 0.069 0.053 |
|
K/W |
m |
Montaj Döner, Vuruş: M5 |
3.0 |
|
5.0 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
250 |
|
G |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.