Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD260HTX120P7H,IGBT Modülü,STARPOWER

IGBT Modülü, 1200V 260A, Ambalaj: P7

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD260HTX120P7H
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 260A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • Düşük değişim kayıpları
  • 6μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • DBC teknolojisi kullanılarak izole edilmiş bakır pinfin taban plakası

Tipik Uygulamalar

  • Otomotiv uygulaması
  • Hibrit ve Elektrikli Araç
  • Motorlu tahrik için inverter

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben Çin

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

260

A

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T F =100 O C

150

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

520

A

P D

Maksimum Güç Dağıtımı ation @ t F =75 O C t j =175 O C

500

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlayan Zirve Ters Voltaj GE

1200

V

Ben FN

Uygulanan Kolektör Cu Kiralık

260

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

150

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

520

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Çalışma Eklem Sıcaklığı sürekli

Bir periyotta 10s 30s, oluşum maksimum 3000 kez ömür boyu ben

-40 ile +150 arasında +150 ile +175

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

IGBT Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =150A,V GE =15V, t j =25 O C

1.40

1.75

V

Ben C =150A,V GE =15V, t j =125 O C

1.60

Ben C =150A,V GE =15V, t j =150 O C

1.60

Ben C =260A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

Ben C =260A,V GE =15V, t j =150 O C

2.15

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =10.4 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

3.6

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

22.4

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

0.95

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.55

NF

Q G

Geçit Ücreti

V CE =600V,I C =150A, V GE =-8…+15V

1.32

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =150A,

r G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,t j =25 O C

181

ns

t r

Kalkma zamanı.

44

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

541

ns

t F

Sonbahar zamanı

217

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

12.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

14.4

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =150A,

r G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,t j =125 O C

193

ns

t r

Kalkma zamanı.

52

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

609

ns

t F

Sonbahar zamanı

319

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

17.3

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

18.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =150A,

r G =3.3Ω,

V GE =-8V/+15V,

L S =35 nH ,t j =150 O C

199

ns

t r

Kalkma zamanı.

54

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

628

ns

t F

Sonbahar zamanı

333

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

19.3

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

19.3

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤6μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Diyot Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =150A,V GE =0V,T j =25 O C

1.45

1.80

V

Ben F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.40

Ben F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.35

Ben F =260A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

Ben F =260A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =150A,

-di/dt=3400A/μs,V GE =-8V L S =35 nH ,t j =25 O C

6.55

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

115

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

3.23

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =150A,

-di/dt=2950A/μs,V GE =-8V L S =35 nH ,t j =125 O C

14.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

125

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

5.42

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =150A,

-di/dt=2780A/μs,V GE =-8V L S =35 nH ,t j =150 O C

16.6

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

130

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.31

mJ

NTC Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

P

Basınç Düşüşü Soğutma Çember - Çabuk

Δ V⁄Δt=10.0dm3⁄min;TF=2 5 O C;Soğutma Sıvı=50% Su/50% Etilen Glikol

50

mbar

P

Soğutma Devresinde Maksimum Basınç - Çabuk

2.0

bar

r thJF

Kavşak -için -Soğutma Sıvı (perIGBT )Birleştirme-soğutma sıvısı (D başına) (iod)

0.200 0.274

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M5 vida

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

685

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000