IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

339

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

1456

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

75

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P = 1ms

150

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

650

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 95 O C

158

100

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P = 1ms

200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

441

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

650

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

100

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P = 1ms

200

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C = 100A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

Ben C = 100A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.65

Ben C = 100A,V GE = 15V, t j =150 O C

1.70

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.8

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.58

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

1.56

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

142

ns

t r

Kalkma zamanı.

25

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

352

ns

t F

Sonbahar zamanı

33

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

1.21

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

3.90

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

155

ns

t r

Kalkma zamanı.

29

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

440

ns

t F

Sonbahar zamanı

61

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

2.02

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

5.83

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

161

ns

t r

Kalkma zamanı.

30

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

462

ns

t F

Sonbahar zamanı

66

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

2.24

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

6.49

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =75A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben F =75A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =75A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

8.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

122

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

2.91

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

17.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

143

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

5.72

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

19.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

152

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.30

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C = 100A,V GE = 15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

Ben C = 100A,V GE = 15V, t j =125 O C

1.60

Ben C = 100A,V GE = 15V, t j =150 O C

1.70

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C = 1.60mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

2.0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

11.6

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.23

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

0.69

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

44

ns

t r

Kalkma zamanı.

20

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

200

ns

t F

Sonbahar zamanı

28

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

1.48

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

2.48

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

48

ns

t r

Kalkma zamanı.

24

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

216

ns

t F

Sonbahar zamanı

40

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

2.24

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

3.28

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =400V,I C = 100A, r G =3.3Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

52

ns

t r

Kalkma zamanı.

24

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

224

ns

t F

Sonbahar zamanı

48

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

2.64

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

3.68

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤6μs,V GE = 15V,

t j =150 O C,V CC =360V, V CEM ≤650V

500

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F = 100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

Ben F = 100A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

Ben F = 100A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

3.57

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

99

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

1.04

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

6.49

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

110

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

1.70

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

7.04

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

110

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

1.81

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

r - Yürü

Çapraz-Kase (T1 başına), T4 IGBT)

Birleşim-Kabuk (her D1,D4 Dio için) de)

Birleşim-Kabuk (her T2 için) T3 IGBT)

Birleştikten-Case (D2,D3 Dio başına) de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her T1,T4 IGBT)

Case-Işığı (D1,D4 başına) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her T2,T3 IGBT)

Case-Işığı (D2,D3 başına) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Her Çividen Kuruluş Kuvveti

40

80

N

G

Ağırlık ile ilgili Modül

39

G