GD200SGU120C2S,IGBT Modülü,STARPOWER

Kısa tanıtım

IGBT modülü , STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.

Özellikler

Tipik Uygulamalar

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 ℃ tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Açıklama	GD200SGU120C2S	Birimler
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1200	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T C =25 ℃ @ T C =80 ℃	320 200	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1 bayan	400	A
Ben F	Diyot Sürekli İleri Akım @ T C =80 ℃	200	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms	400	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T j =1 50℃	1645	W
T jmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	150	℃
T STG	Depolama Sıcaklığı Menzil	-40'tan +125'e kadar	℃
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montaj Tork	Sinyal Terminalı Vuruş: M4	1.1'e 2.0
	Güç Terminali Vida:M6	2.5'e 5.0	N.M
	Montaj Vida:M6	3.0'a 5.0

Elektrik Özellikler ile ilgili IGBT T C =25 ℃ tabii ki aksi takdirde not edildi

Kapalı Özellikler

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V (BR )CES	Kollektör-Emiter Kırılma Voltajı	T j =25 ℃	1200			V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF Akım	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃			5.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları Akım	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃			400	nA

Açık Özellikler

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃	4.4	4.9	6.0	V
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =200A,V GE =15V, T j =25 ℃		3.10	3.55	V
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =200A,V GE =15V, T j =125 ℃		3.45		V

Anahtarlama Özellikleri

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
t d (oN )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 ℃		577		ns
t r	Kalkma zamanı.			120		ns
t d (oFF )	Kapalı Gecikme süresi			540		ns
t f	Sonbahar zamanı			123		ns
E oN	Aç Anahtarlama Kayıp			16.3		mJ
E oFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			12.0		mJ
t d (oN )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =125 ℃		609		ns
t r	Kalkma zamanı.			121		ns
t d (oFF )	Kapalı Gecikme süresi			574		ns
t f	Sonbahar zamanı			132		ns
E oN	Aç Anahtarlama Kayıp			22.0		mJ
E oFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			16.2		mJ
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V		16.9		nF
C - Evet.	Çıkış Kapasitesi			1.51		nF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite			0.61		nF
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		1800		A
L CE	Savrulan endüktansa				20	nH
R CC+EE	Modül Kurşun Direniş, Çip'e terminal			0.18		mΩ

Elektrik Özellikler ile ilgili Diyot T C =25 ℃ tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları		Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =200A	T j =25 ℃		1.82	2.25	V
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =200A	T j =125 ℃		1.92		V
Q r	Geri kazanılmış Şarj	Ben F =200A, V R =600V, R G =4.7Ω, V GE =-15V	T j =25 ℃		13.1		μC
Q r	Geri kazanılmış Şarj		T j =125 ℃		26.1		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı		T j =25 ℃		123		A
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı		T j =125 ℃		172		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma Enerji		T j =25 ℃		7.0		mJ
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma Enerji		T j =125 ℃		12.9		mJ

Termal Karakteristik ics

Sembolik	Parametre	Tipik.	Max.	Birimler
R θ JC	İlişki (İGB başına) T)		0.076	K/W
R θ JC	Çapraz-Kase (D başına) (iod)		0.128	K/W
R θ CS	Kürsüden Lavaboya (Yönetici yağ uygulaması) yalan söyledi)	0.035		K/W
Ağırlık	Ağırlık Modül	300		g