IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

GD200SGU120C2S

Birimler

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ t C =25 °C

@ T C =80 °C

320

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1 Bayan

400

A

Ben F

Diyot Sürekli İleri Akım @ T C =80 °C

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =1 50°C

1645

W

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

°C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

°C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montaj Tork

Sinyal Terminalı Vuruş: M4

1.1'e 2.0

Güç Terminali Vida:M6

2.5'e 5.0

N.M

Montaj Vida:M6

3.0'a 5.0

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V (BR )CES

Kollektör-Emiter

Kırılma Voltajı

t j =25 °C

1200

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 °C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 °C

400

NA

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 °C

3.10

3.55

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 °C

3.45

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 °C

577

ns

t r

Kalkma zamanı.

120

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

540

ns

t F

Sonbahar zamanı

123

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

16.3

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

12.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j =125 °C

609

ns

t r

Kalkma zamanı.

121

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

574

ns

t F

Sonbahar zamanı

132

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

22.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

16.2

mJ

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

16.9

NF

C - Evet.

Çıkış Kapasitesi

1.51

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.61

NF

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15 V,

t j =125 °C, V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun

Direniş,

Çip'e terminal

0.18

mΩ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A

t j =25 °C

1.82

2.25

V

t j =125 °C

1.92

Q r

Geri kazanılmış

şarj

Ben F =200A,

V r =600V,

r G =4.7Ω,

V GE =-15V

t j =25 °C

13.1

μC

t j =125 °C

26.1

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

t j =25 °C

123

A

t j =125 °C

172

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

t j =25 °C

7.0

mJ

t j =125 °C

12.9