GD200MLY120C2S, 3-şevkatli, IGBT Modülü, STARPOWER

Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü , 3-şevkatli ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.

Özellikler

Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
Düşük geçiş kaybı
En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
Düşük endüktansa olan bir vaka
Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

Motorlu tahrik için inverter
Kesintisiz güç kaynağı
Güneş Enerjisi

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

T1-T4 IGBT

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1200	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C = 100o C	337 200	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms	400	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C	1162	W

D1-D4 Diod

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı	1200	V
Ben F	Diyot Sürekli İleri Kur kira	200	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms	400	A

D5,D6 Diod

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı	1200	V
Ben F	Diyot Sürekli İleri Kur kira	200	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms	400	A

Modül

Sembolik	Açıklama	Değer	Birim
T jmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	175	o C
T yapma	Hareket noktası sıcaklığı	-40 ile +150 arasında	o C
T STG	Depolama Sıcaklığı Menzil	-40'tan +125'e kadar	o C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

T1-T4 IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =200A,V GE =15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V
		Ben C =200A,V GE =15V, T j =125 o C		1.95
		Ben C =200A,V GE =15V, T j =150 o C		2.00
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF Akım	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları Akım	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	İç kapı direnci - Ne?			4.0		ω
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		20.7		nF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.58		nF
Q G	Geçit Ücreti	V GE - Hayır. 15...+15V		1.55		μC
t d (oN )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C		150		ns
t r	Kalkma zamanı.			32		ns
t d (oFF )	Kapalı Gecikme süresi			330		ns
t f	Sonbahar zamanı			93		ns
E oN	Aç Anahtarlama Kayıp			11.2		mJ
E oFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			11.3		mJ
t d (oN )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C		161		ns
t r	Kalkma zamanı.			37		ns
t d (oFF )	Kapalı Gecikme süresi			412		ns
t f	Sonbahar zamanı			165		ns
E oN	Aç Anahtarlama Kayıp			19.8		mJ
E oFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			17.0		mJ
t d (oN )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C		161		ns
t r	Kalkma zamanı.			43		ns
t d (oFF )	Kapalı Gecikme süresi			433		ns
t f	Sonbahar zamanı			185		ns
E oN	Aç Anahtarlama Kayıp			21.9		mJ
E oFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			19.1		mJ
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs,V GE =15V, T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

D1-D4 Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Geri Alınan Ücret	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C		17.6		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			228		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma Enerji			7.7		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =125 o C		31.8		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			238		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma Enerji			13.8		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =150 o C		36.6		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			247		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma Enerji			15.2		mJ

D5,D6 Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birimler
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		1.65	2.10	V
		Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.65
		Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.65
Q r	Geri Alınan Ücret	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C		17.6		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			228		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma Enerji			7.7		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =125 o C		31.8		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			238		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma Enerji			13.8		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V R =600V,I F =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =150 o C		36.6		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			247		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma Enerji			15.2		mJ

NTC Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
R 25	Rating direnci			5.0		kΩ
δR/R	Değişim ile ilgili R 100	T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Güç Dağılım				20.0	mW
B 25/50	B değeri	R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B değeri	R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B değeri	R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim
R - Yürü	Bağlantı Noktası-Şasi (T başına göre) 1-T4 IGBT) Bağlantı Noktası-Şasi (D1-D4 Diodu başına göre) (çıkış) Bağlantı Noktası-Şasi (D5,D6 Diodu başına göre) de)			0.129 0.237 0.232	K/W
R thCH	Kürsüden ısı toplayıcıya (her T1-T4 IGBT) Şasi-Işıl Alıcı (D1-D4 başına göre) Diyot) Kasa-Isı Sigortası (D5,D6 başına) Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)		0.073 0.134 0.131 0.010		K/W
M	Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit	2.5 3.0		5.0 5.0
G	Ağırlık ile ilgili Modül		340		g