IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

297

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

937

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.75

2.20

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

2.00

Ben C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.05

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

18.6

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.52

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

1.40

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

120

ns

t r

Kalkma zamanı.

26

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

313

ns

t F

Sonbahar zamanı

88

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

8.96

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

10.7

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

129

ns

t r

Kalkma zamanı.

30

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

391

ns

t F

Sonbahar zamanı

157

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

15.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

16.1

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

129

ns

t r

Kalkma zamanı.

34

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

411

ns

t F

Sonbahar zamanı

175

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

17.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

18.1

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

720

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.75

2.15

V

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

18.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

239

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

8.08

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =125 O C

33.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

14.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =150 O C

38.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

259

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

15.9

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci Nce, terminal chip'e

0.25

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.160

0.206

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.036

0.046

0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G