GD200HFX120C2S, IGBT Modülü, STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C

@ T C =90 o C

297

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 o C

937

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

T jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

o C

T yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

o C

T STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

o C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.75

2.20

V

Ben C =200A,V GE =15V, T j =125 o C

2.00

Ben C =200A,V GE =15V, T j =150 o C

2.05

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

Akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları Akım

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.0

ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

18.6

nF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.52

nF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

1.40

μC

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

120

ns

t r

Kalkma zamanı.

26

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

313

ns

t f

Sonbahar zamanı

88

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

8.96

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

10.7

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

129

ns

t r

Kalkma zamanı.

30

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

391

ns

t f

Sonbahar zamanı

157

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

15.8

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

16.1

mJ

t d (oN )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

129

ns

t r

Kalkma zamanı.

34

ns

t d (oFF )

Kapalı Gecikme süresi

411

ns

t f

Sonbahar zamanı

175

ns

E oN

Aç Anahtarlama

Kayıp

17.5

mJ

E oFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

18.1

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

720

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

2.15

V

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C

18.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

239

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

8.08

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =125 o C

33.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

250

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

14.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =150 o C

38.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

259

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma Enerji

15.9

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

15

nH

R CC+EE

Modül Kurşun Direnci nce, terminal chip'e

0.25

mΩ

R - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.160

0.206

K/W

R thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.036

0.046

0.010

K/W

M

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

g