IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =65 O C

262

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =150 O C

1315

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

3.00

3.45

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

3.80

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

4.4

5.3

6.0

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.3

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

13.0

NF

C res

Geriye dönüştürme

Kapasite

0.85

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE - Hayır. 15...+15V

2.10

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

87

ns

t r

Kalkma zamanı.

40

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

451

ns

t F

Sonbahar zamanı

63

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

6.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.9

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

88

ns

t r

Kalkma zamanı.

44

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

483

ns

t F

Sonbahar zamanı

78

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

11.4

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

13.5

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1300

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.95

2.40

V

Ben F =200A,V GE =0V,T j =125 O C

2.00

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

13.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

236

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.6

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =125 O C

23.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

269

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

10.5

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.095

0.202

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.135

0.288

0.046

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

200

G