Kısa tanıtım
IGBT modülü ,STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik | Açıklama | değer | birim |
V CES | Toplayıcı-Sütücü Voltajı | 1200 | V |
V GES | Kapı-Emitör Voltajı | ±20 | V |
Ben C | Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =65 O C | 262 200 | A |
Ben CM | Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms | 400 | A |
P D | Maksimum güç Dağılımı @ T =150 O C | 1315 | W |
Diyot
Sembolik | Açıklama | değer | birim |
V RRM | Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı | 1200 | V |
Ben F | Diyot Sürekli İleri Kur kira | 200 | A |
Ben Fm | Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms | 400 | A |
Modül
Sembolik | Açıklama | değer | birim |
t jmax | En yüksek kavşak sıcaklığı | 150 | O C |
t Yapma | Hareket noktası sıcaklığı | -40'tan +125'e kadar | O C |
t STG | Depolama Sıcaklığı Menzil | -40'tan +125'e kadar | O C |
V ISO | İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V |
IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik | Parametre | Test koşulları | Min. | Tipik. | Max. | birim |
V CE (sat) | Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı | Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 O C |
| 3.00 | 3.45 |
V |
Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 O C |
| 3.80 |
| |||
V GE (th ) | Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj | Ben C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C | 4.5 | 5.4 | 6.5 | V |
Ben CES | Toplayıcı Kes -OFF akım | V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C |
|
| 5.0 | mA |
Ben GES | Geçit-Emitör Sızıntıları akım | V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | İç kapı direnci - Ne? |
|
| 1.3 |
| Ω |
C ies | Girdi Kapasitesi | V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
| 13.0 |
| NF |
C res | Geriye dönüştürme Kapasite |
| 0.85 |
| NF | |
Q G | Geçit Ücreti | V GE - Hayır. 15...+15V |
| 2.10 |
| μC |
t D (ON ) | Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j =25 O C |
| 87 |
| ns |
t r | Kalkma zamanı. |
| 40 |
| ns | |
t D (OFF ) | Kapalı Gecikme süresi |
| 451 |
| ns | |
t F | Sonbahar zamanı |
| 63 |
| ns | |
E ON | Aç Anahtarlama Kayıp |
| 6.8 |
| mJ | |
E OFF | Kapatma Değiştirme Kayıp |
| 11.9 |
| mJ | |
t D (ON ) | Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, t j = 125O C |
| 88 |
| ns |
t r | Kalkma zamanı. |
| 44 |
| ns | |
t D (OFF ) | Kapalı Gecikme süresi |
| 483 |
| ns | |
t F | Sonbahar zamanı |
| 78 |
| ns | |
E ON | Aç Anahtarlama Kayıp |
| 11.4 |
| mJ | |
E OFF | Kapatma Değiştirme Kayıp |
| 13.5 |
| mJ | |
Ben SC |
SC Verileri | t P ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1300 |
|
A |
Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik | Parametre | Test koşulları | Min. | Tipik. | Max. | birim |
V F | Diyot ileriye Voltaj | Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 O C |
| 1.95 | 2.40 | V |
Ben F =200A,V GE =0V,T j =125 O C |
| 2.00 |
| |||
Q r | Geri Alınan Ücret |
V r =600V,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C |
| 13.3 |
| μC |
Ben RM | Çığ tersine Geri kazanım akımı |
| 236 |
| A | |
E - Bilmiyorum. | Ters Çıkarma enerji |
| 6.6 |
| mJ | |
Q r | Geri Alınan Ücret |
V r =600V,I F =200A, -di/dt=4600A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =125 O C |
| 23.0 |
| μC |
Ben RM | Çığ tersine Geri kazanım akımı |
| 269 |
| A | |
E - Bilmiyorum. | Ters Çıkarma enerji |
| 10.5 |
| mJ |
Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik | Parametre | Min. | Tipik. | Max. | birim |
L CE | Savrulan endüktansa |
|
| 30 | nH |
r CC+EE | Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
| 0.35 |
| mΩ |
r - Yürü | İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod) |
|
| 0.095 0.202 | K/W |
r thCH | Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül) |
| 0.029 0.063 0.010 |
| K/W |
m | Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
G | Ağırlık ile ilgili Modül |
| 300 |
| G |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.