GD200HFQ120C2SD,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

324

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C

1181

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Ben C =200A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Ben C =200A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =8.00 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.8

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.59

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE =±15V,T vj =25 O C

100

ns

t r

Kalkma zamanı.

72

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

303

ns

t F

Sonbahar zamanı

71

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

26.0

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.11

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE =±15V,T vj =125 O C

99

ns

t r

Kalkma zamanı.

76

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

325

ns

t F

Sonbahar zamanı

130

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

33.5

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

8.58

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =4.7Ω, L S =45 nH , V GE =±15V,T vj =150 O C

98

ns

t r

Kalkma zamanı.

80

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

345

ns

t F

Sonbahar zamanı

121

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

36.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.05

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

750

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Ben F =200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Ben F =200A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE =-15V, L S =45 nH ,t vj =25 O C

19.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

96

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

5.66

mJ

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE =-15V, L S =45 nH ,t vj =125 O C

29.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

106

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

8.56

mJ

Q r

Geri kazanılmış şarj

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE =-15V, L S =45 nH ,t vj =150 O C

32.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

107

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

9.24

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Bağlantı Direnci, Terminalden Çipe

0.35

mΩ

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.127 0.163

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.036 0.046 0.010

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G