IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C =85 O C

294

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

1056

W

Sembolik

Açıklama

değer

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

değer

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.90

2.35

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j = 125O C

2.40

Ben C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.55

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

100

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

3.75

Ω

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

374

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

326

ns

t F

Sonbahar zamanı

204

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

13.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

10.4

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

419

ns

t r

Kalkma zamanı.

63

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

383

ns

t F

Sonbahar zamanı

218

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

20.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.9

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =0.75Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

419

ns

t r

Kalkma zamanı.

65

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

388

ns

t F

Sonbahar zamanı

222

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

22.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.9

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.90

2.35

V

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

10.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

90

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

3.40

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 125O C

26.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

132

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

9.75

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE - Hayır. 15V t j = 150O C

30.4

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

142

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

11.3

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

26

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.62

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.142

0.202

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.157

0.223

0.046

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

200

G