IGBT Modülü 1200V

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

309

200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T =175 O C

1006

W

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Kur kira

200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

400

A

Sembolik

Açıklama

Değerler

birim

t jmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama Sıcaklığı Menzil

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene

Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =200A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =200A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =5.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF

akım

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

4.0

Ω

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

150

ns

t r

Kalkma zamanı.

32

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

330

ns

t F

Sonbahar zamanı

93

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

11.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

11.3

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

161

ns

t r

Kalkma zamanı.

37

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

412

ns

t F

Sonbahar zamanı

165

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

19.8

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

17.0

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

161

ns

t r

Kalkma zamanı.

43

ns

t D (OFF )

Kapalı Gecikme süresi

433

ns

t F

Sonbahar zamanı

185

ns

E ON

Aç Anahtarlama

Kayıp

21.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme

Kayıp

19.1

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye

Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =25 O C

17.6

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

228

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

7.7

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =125 O C

31.8

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

238

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

13.8

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE - Hayır. 15V t j =150 O C

36.6

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

247

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

15.2

mJ

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

birim

r 25

Rating direnci

5.0

KΩ

ΔR/R

Değişim ile ilgili r 100

t C = 100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

birim

L CE

Savrulan endüktansa

21

nH

r CC+EE

Modül uç direnci e, Terminal'den Çip'e

1.80

mΩ

r - Yürü

İlişki (İGB başına) T)

Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.149

0.206

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT)

Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.031

0.043

0.009

K/W

m

Montaj Vida:M6

3.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G