Kısa tanıtım
IGBT modülü ,sTARPOWER tarafından üretilmiştir. 1200V 200A.
Özellikler
Tipik Uygulamalar
Mutlak Maksimum Değerlendirmeler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
IGBT
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V CES |
Toplayıcı-Sütücü Voltajı |
1200 |
V |
V GES |
Kapı-Emitör Voltajı |
±20 |
V |
Ben C |
Toplayıcı Akımı @ T C =25 o C @ T C =85 o C |
294 200 |
A |
Ben CM |
Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t p =1ms |
400 |
A |
P D |
Maksimum güç Dağılımı @ T =175 o C |
1056 |
W |
Diyot
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
V RRM |
Tekrarlanan Zirve Ters Voltajı |
1200 |
V |
Ben F |
Diyot Sürekli İleri Kur kira |
200 |
A |
Ben Fm |
Diyot Maksimum İleri Akımı t p =1ms |
400 |
A |
Modül
Sembolik |
Açıklama |
Değer |
Birim |
T jmax |
En yüksek kavşak sıcaklığı |
175 |
o C |
T yapma |
Hareket noktası sıcaklığı |
-40 ile +150 arasında |
o C |
T STG |
Depolama Sıcaklığı Menzil |
-40'tan +125'e kadar |
o C |
V ISO |
İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V CE (sat) |
Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı |
Ben C =200A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.90 |
2.35 |
V |
Ben C =200A,V GE =15V, T j = 125o C |
|
2.40 |
|
|||
Ben C =200A,V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.55 |
|
|||
V GE (th ) |
Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj |
Ben C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Ben CES |
Toplayıcı Kes -OFF Akım |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
Ben GES |
Geçit-Emitör Sızıntıları Akım |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
100 |
nA |
R Gint |
İç kapı direnci - Ne? |
|
|
3.75 |
|
ω |
C ies |
Girdi Kapasitesi |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
20.7 |
|
nF |
C res |
Geriye dönüştürme Kapasite |
|
0.58 |
|
nF |
|
Q G |
Geçit Ücreti |
V GE - Hayır. 15...+15V |
|
1.55 |
|
μC |
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j =25 o C |
|
374 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
50 |
|
ns |
|
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
326 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
204 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
13.8 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
10.4 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 125o C |
|
419 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
63 |
|
ns |
|
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
383 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
218 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
20.8 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
11.9 |
|
mJ |
|
t d (oN ) |
Açma Gecikme Zamanı |
V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 150o C |
|
419 |
|
ns |
t r |
Kalkma zamanı. |
|
65 |
|
ns |
|
t d (oFF ) |
Kapalı Gecikme süresi |
|
388 |
|
ns |
|
t f |
Sonbahar zamanı |
|
222 |
|
ns |
|
E oN |
Aç Anahtarlama Kayıp |
|
22.9 |
|
mJ |
|
E oFF |
Kapatma Değiştirme Kayıp |
|
11.9 |
|
mJ |
Diyot Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Test koşulları |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
V F |
Diyot ileriye Voltaj |
Ben F =200A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.90 |
2.35 |
V |
Ben F =200A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
|||
Ben F =200A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.90 |
|
|||
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V GE - Hayır. 15V T j =25 o C |
|
10.2 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
90 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
3.40 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V GE - Hayır. 15V T j = 125o C |
|
26.2 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
132 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
9.75 |
|
mJ |
|
Q r |
Geri Alınan Ücret |
V R =600V,I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V GE - Hayır. 15V T j = 150o C |
|
30.4 |
|
μC |
Ben RM |
Çığ tersine Geri kazanım akımı |
|
142 |
|
A |
|
E - Bilmiyorum. |
Ters Çıkarma Enerji |
|
11.3 |
|
mJ |
Modül Özellikler T C =25 o C tabii ki aksi takdirde not edildi
Sembolik |
Parametre |
Min. |
Tipik. |
Max. |
Birim |
L CE |
Savrulan endüktansa |
|
15 |
|
nH |
R CC+EE |
Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal |
|
0.25 |
|
mΩ |
R - Yürü |
İlişki (İGB başına) T) Çapraz-Kase (D başına) (iod) |
|
|
0.142 0.202 |
K/W |
R thCH |
Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kürsüden ısı fıskiyesine (p) diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül) |
|
0.034 0.048 0.010 |
|
K/W |
M |
Terminal Bağlantı Döner, M6 Çivit Montaj Döner, M6 Çivit |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Ağırlık ile ilgili Modül |
|
300 |
|
g |
Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.