Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD200CEX120C8SN,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 200A, Paket:C8

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200CEX120C8SN
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 200A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

363

200

A

Ben CRM

Tekrarlayan Zirve Toplayıcı akım tp sınırlı - Ne? t vjop

400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C

1293

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diode Sürekli İleri Akım ent

200

A

Ben FRM

Tekrarlayan Zirve İleri akım tp sınırlı - Ne? t vjop

400

A

Modül

Sembolik

Açıklama

Değerler

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =200A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.75

2.20

V

Ben C =200A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.00

Ben C =200A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.05

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =8.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.6

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.52

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =25 O C

140

ns

t r

Kalkma zamanı.

31

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

239

ns

t F

Sonbahar zamanı

188

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

11.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

13.4

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =125 O C

146

ns

t r

Kalkma zamanı.

36

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

284

ns

t F

Sonbahar zamanı

284

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

19.4

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

18.9

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T vj =150 O C

148

ns

t r

Kalkma zamanı.

37

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

294

ns

t F

Sonbahar zamanı

303

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

21.7

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

19.8

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birimler

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =200A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Ben F =200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Ben F =200A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, t vj =25 O C

20.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

220

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

7.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, t vj =125 O C

34.3

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

209

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

12.9

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE =-15V, t vj =150 O C

38.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

204

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

14.6

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.116 0.185

K/W

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.150 0.239 0.046

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M5 vida

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

200

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000