GD150HFU120C8SD , IGBT Modülü, STARPOWER

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 150A.

Özellikler

Tipik Uygulamalar

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1200	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =85 O C	238 150	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms	300	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T vj =150 O C	1237	W

Diyot

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş	1200	V
Ben F	Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık	150	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	300	A

Modül

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
t vjmax	En yüksek kavşak sıcaklığı	150	O C
t vjop	Hareket noktası sıcaklığı	-40'tan +125'e kadar	O C
t STG	Depolama sıcaklık aralığı	-40'tan +125'e kadar	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada	2500	V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =150A,V GE =15V, t vj =25 O C		2.90	3.35	V
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =150A,V GE =15V, t vj =125 O C		3.60		V
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =3.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C	5.0	6.1	7.0	V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF akım	V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C			5.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları akım	V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C			400	NA
r Gint	İç kapı direnci - Ne?			1.50		Ω
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V		19.2		NF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =30V,f=1MHz, V GE =0V		0.60		NF
Q G	Geçit Ücreti	V GE =-15…+15V		1.83		μC
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =150A, r G =6.8Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =25 O C		183		ns
t r	Kalkma zamanı.			73.8		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			438		ns
t F	Sonbahar zamanı			33.0		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			12.8		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			5.31		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =600V,I C =150A, r G =6.8Ω,Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =125 O C		185		ns
t r	Kalkma zamanı.			74		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			476		ns
t F	Sonbahar zamanı			44.5		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			15.5		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			7.74		mJ
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs, V GE =15V, t vj =125 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V		975		A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =150A,V GE =0V,T vj =2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =150A,V GE =0V,T vj =125 O C		1.90		V
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =600V,I F =150A, -di/dt=2232A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V, t vj =25 O C		11.9		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			113		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			4.02		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =600V,I F =150A, -di/dt=2118A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V, t vj =125 O C		22.5		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			139		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			8.58		mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim
r - Yürü	Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)			0.101 0.257	K/W
r thCH	Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)		0.028 0.071 0.010		K/W
m	Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		300		G