Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1700V

IGBT Modülü 1700V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1700V

GD1200HFX170C3S,IGBT Modülü,Yüksek akım igbt modülü,STARPOWER

1700V 1200A, A3

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1200HFX170C3S
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,STARPOWER tarafından üretilmiştir. 1 700V 1200A ,A3 .

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • En yüksek bağlantı sıcaklığı 175oC
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Yüksek Güçlü Değiştiriciler
  • Motor Sürücüleri
  • Rüzgar Türbinleri

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1965

1200

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

2400

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =175 O C

6.55

kw

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

1200

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

2400

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

4000

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =1200A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.30

V

Ben C =1200A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Ben C =1200A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =48.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.6

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

142

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

3.57

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, r Git =1.5Ω, r Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =25 O C

700

ns

t r

Kalkma zamanı.

420

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1620

ns

t F

Sonbahar zamanı

231

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

616

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

419

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, r Git =1.5Ω, r Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =125 O C

869

ns

t r

Kalkma zamanı.

495

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

1976

ns

t F

Sonbahar zamanı

298

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

898

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

530

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =1200A, r Git =1.5Ω, r Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =150 O C

941

ns

t r

Kalkma zamanı.

508

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

2128

ns

t F

Sonbahar zamanı

321

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

981

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

557

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C ,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =1200A,V GE =0V,T vj =25 O C

1.80

2.25

V

Ben F =1200A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Ben F =1200A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =25 O C

217

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

490

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

108

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =125 O C

359

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

550

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

165

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =150 O C

423

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

570

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

200

mJ

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

20

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.37

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

22.9 44.2

K/kW

r thCH

Kürsüden ısı toplayıcıya (her IGBT) Kasa-Soğutucu (pe r Diyot) Kasa-Soğutucu (per M odül)

18.2 35.2 6.0

K/kW

m

Terminal Bağlantı Döner, M4 vida Terminal Bağlantı Döner, M8 vida Montaj Döner, M6 Çivit

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

1500

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000