Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD100PIX120C6SNA,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 150A, paket: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100PIX120C6SNA
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 100A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Motorlu tahrik için inverter
  • AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
  • Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT-invertör

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

155

100

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

511

W

Diyot-dönüştürücü

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

100

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

200

A

Diyod-diktleme

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1600

V

Ben O

Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga

100

A

Ben FSM

Akım ileri dalgalanma t P =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C

1150

880

A

Ben 2t

Ben 2t-değeri,t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C

6600

3850

A 2S

IGBT-fren

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

87

50

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

100

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C

308

W

Diyot -Fren

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

25

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

50

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t jmax

Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter,fren) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)

175

150

O C

t Yapma

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada

2500

V

IGBT -Değiştiriciler Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =100A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =100A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =100A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =4.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

7.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.29

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

218

ns

t r

Kalkma zamanı.

35

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

287

ns

t F

Sonbahar zamanı

212

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

9.23

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

6.85

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

242

ns

t r

Kalkma zamanı.

41

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

352

ns

t F

Sonbahar zamanı

323

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

13.6

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

9.95

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

248

ns

t r

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

365

ns

t F

Sonbahar zamanı

333

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

14.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

10.5

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Diyot -Değiştiriciler Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Ben F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

Ben F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

5.89

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

103

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

3.85

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

13.7

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

109

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

6.64

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

15.6

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

109

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

7.39

mJ

Diyot -doğrultucu Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =100A, t j =150 O C

0.95

V

Ben r

Ters akım

t j =150 O C,V r =1600V

2.0

mA

IGBT -Fren Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =50A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

Ben C =50A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

Ben C =50A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =2.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

5.18

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.15

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

171

ns

t r

Kalkma zamanı.

32

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

340

ns

t F

Sonbahar zamanı

82

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

6.10

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

2.88

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

182

ns

t r

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

443

ns

t F

Sonbahar zamanı

155

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

8.24

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

4.43

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

182

ns

t r

Kalkma zamanı.

43

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

464

ns

t F

Sonbahar zamanı

175

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

8.99

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

4.94

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

200

A

Diyot -Fren Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =25A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

Ben F =25A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

Ben F =25A,V GE =0V,T j =150 O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

2.9

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

55

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

0.93

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

5.1

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

58

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

1.72

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

5.6

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

60

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

2.01

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t C =100 O C R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

40

nH

r CC+EE r AA + CC

Modül Kurşun Direnci nce, Terminal'den Çip'e

4.00 3.00

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT -Değiştiriciler )

Bağlantı Noktası-Şase (her Diyod-invert er)

Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er)

Kavşak -için -DURUM (perIGBT -Fren -Helikopter ) Birleşim-Kabuk (her Diyatod-brake-chop her)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

r thCH

DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT -Değiştiriciler )

Kasa-Isı Sigortası (her Diyot-in verter)

Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier

DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT -Fren -Helikopter )Kasa-Isı Sigortası (her Diyot-tormoz- kesic) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

m

Montaj Döner, Vuruş: M5

3.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000