GD100PFX170C6SG,IGBT Modülü,STARPOWER

Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1700V 100A.

Özellikler

Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
10μs kısa devre kapasitesi
Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
Maksimum birleşim sıcaklığı 175 ℃
Düşük endüktansa olan bir vaka
Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

Motorlu tahrik için inverter
AC ve DC servo sürücü amplifikatörü
Kesintisiz güç kaynağı

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT-invertör

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V CES	Toplayıcı-Sütücü Voltajı	1700	V
V GES	Kapı-Emitör Voltajı	±20	V
Ben C	Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C	161 100	A
Ben CM	Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms	200	A
P D	Maksimum güç Dağılımı @ T j =175 O C	592	W

Diyot-dönüştürücü

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş	1700	V
Ben F	Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık	100	A
Ben Fm	Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms	200	A

Diyod-diktleme

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
V RRM	Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş	1800	V
Ben O	Ortalama Çıkış Akımı 5 0Hz/60Hz, sinus dalga	100	A
Ben FSM	Akım ileri dalgalanma t P =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C	1600 1400	A
Ben 2t	Ben 2t-değeri,t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C	13000 9800	A 2S

Modül

Sembolik	Açıklama	değer	Birim
t jmax	Maksimum Birleşim Sıcaklığı (inverter) Maksimum Birleşim Sıcaklığı (diktleme)	175 150	O C
t Yapma	Hareket noktası sıcaklığı	-40 ile +150 arasında	O C
t STG	Depolama sıcaklık aralığı	-40'tan +125'e kadar	O C
V ISO	İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t =1 dakikada	4000	V

IGBT -Değiştiriciler Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V CE (sat)	Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı	Ben C =100A,V GE =15V, t j =25 O C		1.85	2.20	V
		Ben C =100A,V GE =15V, t j =125 O C		2.25
		Ben C =100A,V GE =15V, t j =150 O C		2.35
V GE (th )	Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj	Ben C =4.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Ben CES	Toplayıcı Kes -OFF akım	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
Ben GES	Geçit-Emitör Sızıntıları akım	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	İç kapı direnci			7.5		Ω
C ies	Girdi Kapasitesi	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		12.0		NF
C res	Geriye dönüştürme Kapasite	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.29		NF
Q G	Geçit Ücreti	V GE =-15 ...+15V		0.94		μC
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46 nH , t j =25 O C		257		ns
t r	Kalkma zamanı.			47		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			377		ns
t F	Sonbahar zamanı			382		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			24.6		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			16.7		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46nH, T j =125 O C		284		ns
t r	Kalkma zamanı.			56		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			444		ns
t F	Sonbahar zamanı			555		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			34.9		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			23.1		mJ
t D (ON )	Açma Gecikme Zamanı	V CC =900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46nH, T j =150 O C		286		ns
t r	Kalkma zamanı.			60		ns
t d (((off)	Kapalı Gecikme süresi			465		ns
t F	Sonbahar zamanı			636		ns
E ON	Aç Anahtarlama Kayıp			38.0		mJ
E OFF	Kapatma Değiştirme Kayıp			26.1		mJ
Ben SC	SC Verileri	t P ≤ 10μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		400		A

Diyot -Değiştiriciler Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben F =100A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		Ben F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		Ben F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =100A, -di/dt=1590A/μs,V GE =-15V L S =46 nH , t j =25 O C		13.3		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			107		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			8.79		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =100A, -di/dt=1300A/μs,V GE =-15V L S =46nH, T j =125 O C		25.0		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			111		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			18.6		mJ
Q r	Geri Alınan Ücret	V r =900V,I F =100A, -di/dt=1230A/μs,V GE =-15V L S =46nH, T j =150 O C		28.0		μC
Ben RM	Çığ tersine Geri kazanım akımı			112		A
E - Bilmiyorum.	Ters Çıkarma enerji			20.4		mJ

Diyot -doğrultucu Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
V F	Diyot ileriye Voltaj	Ben C =100A, t j =150 O C		0.85		V
Ben r	Ters akım	t j =150 O C,V r =1800V			3.0	mA

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Test koşulları	Min.	Tipik.	Max.	Birim
r 25	Rating direnci			5.0		KΩ
∆R/R	Değişim ile ilgili r 100	t C =100 O C R 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Güç dağılım				20.0	mW
B 25/50	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	B değeri	r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik	Parametre	Min.	Tipik.	Max.	Birim
r - Yürü	Kavşak -için -DURUM (perIGBT -Değiştiriciler ) Birleme-Noktası ile Vucuta (her DIOD-inverter başına ter) Bağlantıdan-Kabuk (her Diyatoda-diktiç) er)			0.253 0.424 0.289	K/W
r thCH	DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT -Değiştiriciler )Kabuktan-Işığına (her Diyatoda- değiştirici) Kasa-Isı Sigortası (her Diyod için) ctifier Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)		0.105 0.176 0.120 0.009		K/W
m	Montaj Döner, Vuruş: M5	3.0		6.0	N.M
G	Ağırlık ile ilgili Modül		300		G