Tüm Kategoriler

IGBT Modülü 1200V

IGBT Modülü 1200V

ana sayfa /  ÜRÜNLER /  IGBT modülü /  IGBT Modülü 1200V

GD100HHU120C6SD,IGBT Modülü,STARPOWER

1200V 100A, paket: C6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD100HHU120C6SD
  • Giriş
  • Çizelge
  • Eşdeğer Devre Şeması
Giriş

Kısa tanıtım

IGBT modülü ,üretildi STARPOWER . 1200V 100A.

Özellikler

  • Düşük VCE (satürn) Trench IGBT teknolojisi
  • 10μs kısa devre kapasitesi
  • Pozitif sıcaklık katsayısı olan VCE (sat)
  • Maksimum birleşim sıcaklığı 175
  • Düşük endüktansa olan bir vaka
  • Hızlı ve yumuşak geri kazanım paralel karşı FWD
  • İzole bakır taban plakası DBC teknolojisi kullanarak

Tipik Uygulamalar

  • Aktarma modu güç kaynağı
  • Indüktif ısıtma
  • Elektronik kaynak

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler t F =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

IGBT

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1200

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =75 O C

146

100

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

200

A

P D

Maksimum güç Dağılımı @ T vj =150 O C

771

W

Diyot

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1200

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

100

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

200

A

Modül

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

150

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40'tan +125'e kadar

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

2500

V

IGBT Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =100A,V GE =15V, t vj =25 O C

3.00

3.45

V

Ben C =100A,V GE =15V, t vj =125 O C

3.80

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =4.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

4.5

5.5

6.5

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci - Ne?

1.0

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.50

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.42

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, r G =9.1Ω,V GE =±15V, LS = 48 nH ,t vj =25 O C

38

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

330

ns

t F

Sonbahar zamanı

27

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

8.92

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

2.06

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =600V,I C =100A, r G =9.1Ω,V GE =±15V, LS = 48 nH ,t vj =125 O C

37

ns

t r

Kalkma zamanı.

50

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

362

ns

t F

Sonbahar zamanı

43

ns

E ON

Anahtarlama Kayıp

10.7

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

3.69

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t vj =125 O C ,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

650

A

Diyot Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15V LS = 48 nH ,t vj =25 O C

11.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

101

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

4.08

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15V LS = 48 nH ,t vj =125 O C

19.0

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

120

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

7.47

mJ

NTC Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

r 25

Rating direnci

5.0

∆R/R

Değişim ile ilgili r 100

t vj =100 O C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Güç

dağılım

20.0

mW

B 25/50

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B değeri

r 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Modül Özellikler t C =25 O C Tabii ki aksi takdirde not edildi

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

21

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

2.60

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çaprazla bağlantı (Di başına) (çıkış)

0.162 0.401

K/W

r thCH

DURUM -için -Lavabo (perIGBT )

Kasadan Dökmeciye (diyot başına)

Kasa-Soğutucu (per M odül)

0.051 0.125 0.009

K/W

m

Montaj Döner, M6 Çivit

3.0

6.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

300

G

Çizelge

Eşdeğer Devre Şeması

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İLGİLİ ÜRÜN

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Profesyonel satış ekibimiz danışmanlığınızı bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Al

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz yakında sizinle iletişime geçecektir.
Email
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000