GD100HFX170C1S,IGBT Modülü,STARPOWER

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V CES

Toplayıcı-Sütücü Voltajı

1700

V

V GES

Kapı-Emitör Voltajı

±20

V

Ben C

Toplayıcı Akımı @ T C =25 O C @ T C =100 O C

173

112

A

Ben CM

Yuvarlanan Toplayıcı Akımı t P =1ms

200

A

P D

Maksimum Güç dağılım @ t vj =175 O C

666

W

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

V RRM

Tekrarlanan Zirve Ters Volt Yaş

1700

V

Ben F

Diyot Sürekli İleri Cu Kiralık

100

A

Ben Fm

Diyot Maksimum İleri Akımı t P =1ms

200

A

Sembolik

Açıklama

değer

Birim

t vjmax

En yüksek kavşak sıcaklığı

175

O C

t vjop

Hareket noktası sıcaklığı

-40 ile +150 arasında

O C

t STG

Depolama sıcaklık aralığı

-40'tan +125'e kadar

O C

V ISO

İzolasyon Voltajı RMS,f=50Hz,t= 1 dakikada.

4000

V

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V CE (sat)

Toplayıcıdan Verene Doymak Voltajı

Ben C =100A,V GE =15V, t vj =25 O C

1.85

2.20

V

Ben C =100A,V GE =15V, t vj =125 O C

2.25

Ben C =100A,V GE =15V, t vj =150 O C

2.35

V GE (th )

Geçit-Bölücü Sınırı Voltaj

Ben C =4.0 mA ,V CE = V GE , t vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Ben CES

Toplayıcı Kes -OFF akım

V CE = V CES ,V GE =0V, t vj =25 O C

5.0

mA

Ben GES

Geçit-Emitör Sızıntıları akım

V GE = V GES ,V CE =0V, t vj =25 O C

400

NA

r Gint

İç kapı direnci

7.5

Ω

C ies

Girdi Kapasitesi

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

NF

C res

Geriye dönüştürme Kapasite

0.29

NF

Q G

Geçit Ücreti

V GE =-15…+15V

0.94

μC

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

t vj =25 O C

272

ns

t r

Kalkma zamanı.

55

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

369

ns

t F

Sonbahar zamanı

389

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

28.2

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

16.4

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

t vj =125 O C

296

ns

t r

Kalkma zamanı.

66

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

448

ns

t F

Sonbahar zamanı

576

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

40.1

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

24.1

mJ

t D (ON )

Açma Gecikme Zamanı

V CC =900V,I C =100A, r G =4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

t vj =150 O C

302

ns

t r

Kalkma zamanı.

69

ns

t d (((off)

Kapalı Gecikme süresi

463

ns

t F

Sonbahar zamanı

607

ns

E ON

Aç Anahtarlama Kayıp

43.9

mJ

E OFF

Kapatma Değiştirme Kayıp

25.7

mJ

Ben SC

SC Verileri

t P ≤ 10μs, V GE =15V,

t vj =150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

400

A

Sembolik

Parametre

Test koşulları

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V F

Diyot ileriye Voltaj

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =2 5O C

1.80

2.25

V

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =125 O C

1.90

Ben F =100A,V GE =0V,T vj =150 O C

1.95

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

t vj =25 O C

23.5

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

85

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

11.5

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

t vj =125 O C

36.6

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

88

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

18.1

mJ

Q r

Geri Alınan Ücret

V r =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

t vj =150 O C

46.2

μC

Ben RM

Çığ tersine

Geri kazanım akımı

91

A

E - Bilmiyorum.

Ters Çıkarma enerji

24.6

mJ

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

L CE

Savrulan endüktansa

30

nH

r CC+EE

Modül Kurşun Direnci, Çip'e terminal

0.65

mΩ

r - Yürü

Kavşak -için -DURUM (perIGBT ) Çapraz-Kase (D başına) (iod)

0.225 0.391

K/W

r thCH

DURUM -için -Isı çubuğu (perIGBT )Kürsüden ısı fıskiyesine (p) Diyot) Kürsüden ısı toplayıcıya (her Modül)

0.158 0.274 0.050

K/W

m

Terminal Bağlantı Döner, M5 vida Montaj Döner, M6 Çivit

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Ağırlık ile ilgili Modül

150

G